Cтраница 5
Силы обменного взаимодействия препятствуют антипараллельному расположению магнитных моментов, поэтому между доменами появляется сравнительно узкая область, в которой вектор намагниченности постепенно меняет свое направление на противоположное. Образование стенки толщиной 8 между намагниченными в противоположные стороны соседними областями требует затраты определенной энергии против сил обменного взаимодействия. В переходном слое магнитные моменты атомов распложены не вдоль направления легчайшего намагничивания и с этим также связана затрата энергии, которая называется энергией магнитной анизотропии. Такая энергия характеризуется константой магнитной анизотропии К, которая пропорциональна разности между площадями, ограниченными кривыми легкого и трудного намагничивания. Кроме перечисленных видов энергий, в кристалле существует еще один вид энергии, связанный с магнитострикцией. Так как основные и замыкающие области намагничены во взаимно перпендикулярных направлениях, они стремятся удлиниться ( укоротиться) также во взаимно перпендикулярных направлениях. [61]
Технология изготовления поликристаллических ферритов находится сейчас на таком уровне, что первые два фактора могут практически не сказываться на ширине линии. Вклад магнитной анизотропии в ширину линии связан с различной ориентацией отдельных кристалов в поликристаллическом образце, что приводит к различию эффективных полей анизотропии для различных кристаллов и, следовательно, к увеличению ширины линии. Уменьшение этой ширины может быть достигнуто либо путем изготовления текстури-рованных образцов ферритов, либо путем уменьшения констант магнитной анизотропии материала. [62]
![]() |
Частные циклы намагничивания биполярными импульсами ( а и кривые магнитной проницаемости ц. [63] |
Способность материала намагничиваться зависит от ряда факторов. Магнитные свойства неодинаковы в различных кристаллографических направлениях. Так, если поле направлено вдоль ребра кристалла железа, то магнитная индукция при той же напряженности поля Я выше, чем в случае направления поля вдоль диагонали основания или вдоль главной диагонали; направлениями наиболее легкой намагниченности в кристаллах железа являются направления, параллельные ребрам кристалла. Различие в магнитных свойствах вдоль разных кристаллографических направлений представляет собой магнитную анизотропи. Количественной мерой магнитной анизотропии служит константа магнитной анизотропии Kv Она оценивается разностью энергии намагничивания ( до насыщения) единицы объема материала по направлениям наиболее легкого и наиболее трудного намагничивания. [64]
Из этих выражений видны два важных следствия. Это нередко ( см. ниже) забрасывает частоту АФМР в область субмиллиметровых длин волн. Во-вторых, одна из частот АФМР в (11.50) при Н л / 2Я Я обращается в нуль, что указывает на потерю устойчивости рассматриваемого основного состояния с / о Z. Нетрудно связать это с ориентационным фазовым переходом типа спин-флопа ( см. гл. Следует, однако, заметить, что проведенное выше рассмотрение фактически было основано на равномодульной модели, не учитывающей х Ф 0 анизотропии - фактора, а также констант магнитной анизотропии более высокого порядка. Уточнения в этих отношениях в некоторых случаях могут заметно повлиять на частоты АФМР. [65]