Конструкция - диод
Cтраница 2
Наиболее распространены план арные конструкции диодов, так как применение их позволяет относительно просто изготавливать матрицы диодов и выполнять контактирование. Глубина залегания перехода должна быть как можно меньшей. Например, глубина перехода 0 3 мкм считается достаточно большой, чтобы обеспечить технологическую контролируемость, и достаточно малой, чтобы потери энергии электронного пучка в ней мало сказывались на коэффициенте усиления. В последнее время для получения мелких p - n - переходов все шире используют методы ионной имплантации, которые обеспечивают меньшую глубину залегания перехода, чем при диффузии. Применяя такие диоды для усиления электронных потоков [31], можно получить коэффициент усиления, близкий к теоретическому. [16]
Это объясняется наличием в конструкции диодов деталей, соединенных с помощью низкотемпературных припоев, различием в температурных коэффициентах расширения кристалла и кри-сталлодержателя. Диоды в стеклянных корпусах без покрытий должны быть защищены от действия источников света, которое вызывает увеличение обратного тока. [17]
В работе [35] описывается конструкция диода ускорителя SPEED на ток 2 МА и напряжение 1 MB, предназначенного для создания высоких уровней мощности ТИ в больших объемах. [18]
 |
Эквивалентная схема полупроводникового диода для средних частот.| Эквивалентная схема полупроводникового диода для диапазона СВЧ. [19] |
В связи с тем что конструкция диода может сильно влиять на режим работы СВЧ резонаторов, некоторые типы СВЧ диодов предназначаются для работы в определенных диапазонах волн, например трехсантиметровом, десятисантиметровом. [20]
Так как тепловые постоянные многих конструкций СВЧ диодов имеют величину порядка 10 - 8 сек, то острый импульс, просачивающийся в момент пробоя, следует оценивать по его энергии. [21]
Напряжение теплового пробоя существенно зависит от конструкции диода, которая определяет условия отвода тепла от перехода. Качество теплоотвода определяется тепловым сопротивлением - Rt, показывающим, на сколько градусов повысится температура перехода Д / при повышении рассеиваемой мощности на АР. [22]
 |
Основные части микромодульного транзистора. [23] |
В последнее время стали широко применяться герметичные металло-стеклянные конструкции диодов и транзисторов, которые могут быть использованы также и как микроминиатюрные навесные приборы. [24]
На рис. П2 показан пример схемы конструкции диода и его обозначение. В данном случае показана примесь индия для получения германия р-тта. Контакт германия р - и л-типа образует р-п переход. [25]
 |
Полупроводниковый диод как нелинейный конденсатор. [26] |
А - некоторая постоянная, зависящая от конструкции диода; U - приложенное напряжение; ( / к 0 2 - 0 8 В - контактная разность потенциалов, значение которой связано с температурой и концентрацией носителей в и - и р-областях. [27]
Вывод от диодной структуры и другие элементы конструкции диода обладают некоторой индуктивностью. Ее величина зависит от конструкции устройства, в которое помещен диод, а также от частоты. Поэтому индуктивность не может быть определена однозначно, однако ориентировочная величина приводится в справочных данных. [28]
Обязать ВЭИ совместно с заводом Электровыпрямитель довести конструкцию диодов ВГ до требований междуведомственной нормали. [29]
Для лучшего отвода тепла от перехода в конструкциях силовыз диодов предусматривается специальный радиатор или массивны. [30]
Страницы: 1 2 3 4