Cтраница 5
Индуктор для нагрева на промышленной частоте. Ах - 1-я фаза. By - 2-я фаза. Сг - 3-я фаза. [61] |
Нагрев в однофазном индукторе аналогичен нагреву на средней частоте. Такая схема самая, удобная для создания наиболее-простой конструкции нагревателя и средств автоматического управления. Неравномерность загрузки дополнительно вызывает перекос фаз в энергосистеме. [62]
Описаны многие детали оборудования, применяемого для зонной плавки органических соединений. В этой главе рассмотрены такие вопросы, как конструкция нагревателя, выбор контейнера и метода для получения зоны. [63]
Входные и выходные параметры термодинамического анализа. [64] |
Уровень термодинамического анализа в большой степени зависит от-склонности и опыта исследователя, но вряд ли будет использован достаточно строгий и точный метод узлов, поскольку для применения такого метода требуются данные, которые должен дать алгоритм. Разумеется, на основании известных результатов можно предварительно рассчитать конструкцию нагревателя, а метод узлов использовать как итерационный способ усовершенствования конструкции. Однако такой подход требует - больших затрат и позволяет получить данные лишь о термодинамических характеристиках нагревателя. Для получения информации о напряжениях в материале, сроке службы и стоимости нагревателя требуется модификация этого анализа. Расчет с использованием соотношений для полностью идеального цикла также недостаточен, поскольку требуется более подробная информация об изменении давления и массового расхода в цикле. [65]
В настоящей главе излагаются результаты экспериментальных работ по выращиванию монокристаллов германия с малым разбросом удельного сопротивления по радиусу слитка, с минимальным числом дислокаций. Приводятся результаты исследований температурного поля в расплаве в зависимости от конструкции нагревателя, от размещения тигля внутри него. Эффективность нагревателя, поля температур, сформированного в расплаве, оценивается в зависимости от качества полученного кристалла. Подробно рассматриваются схемы теплового экранирования, с помощью которых получены бездислокационные монокристаллы. [66]