Конструкция - светодиод
Cтраница 1
 |
Устройство светодиода. [1] |
Конструкция типичного светодиода, используемого в качестве источника излучения, показана на рис. 6.23. Кристалл полупроводника с соответствующими выводами помещают в - коваровый или керамический баллон, верхняя часть которого заканчивается стеклянной ( или из эпоксидной смолы) линзой. С помощью линзы излучение приобретает заданную направленность. [2]
 |
Конструкция многоэлементного светодио-да-цифрового индикатора на основе монокристалла карбида кремния. [3] |
Конструкция монокристаллического светодиода с подвижной границей светящегося поля схематически показана на рис. 7.7, а. Этот светодиод сделан методом диффузии бора с одной стороны прямоугольной пластинки карбида кремния с электропроводностью и-типа. Область n - типа электропроводности светодиода низкоомна и поэтому является практически эквипотенциальной. Область р-ти-па электропроводности сравнительно высокоомна и поэтому при приложении внешних напряжений к электродам не будет эквипотенциальной. [4]
В конструкциях светодиодов предусматриваются различные меры по снижению потерь на внутреннее поглощение и отражение ( эти потери могут достигать 90 %), что в свою очередь повышает эффективность и КПД источника излучения. [5]
 |
Устройство светодиода. [6] |
Одна из конструкций светодиода показана на рис. 7.25. Кристалл приваривается к ножке с выводами, которая монтируется коваро-вый или керамический баллон, обладающий очень малой емкостью, иногда коаксиальной конструкции. Верхняя часть корпуса содержит стеклянную ( или из эпоксидной смолы) линзу, которая служит выходным окном для излучения и концентрирует излучение в узком конусе. [7]
Как должна быть выполнена структура и конструкция светодиода для получения наибольшего внешнего квантового выхода. [8]
Яркость и мощность излучения во многом определяются конструкцией светодиода. Чем больший ток можно пропускать через диод при допустимом его нагреве, тем больше яркость и мощность излучения: увеличение их с ростом тока обусловлено тем, что интенсивность спада избыточной концентрации неосновных носителей заряда в результате рекомбинации пропорциональна начальной концентрации последних, которая тем больше, чем активнее протекает процесс инжекции, а следовательно, чем больше ток / пр. [9]
Коэффициент полезного действия зависит от внутреннего квантового выхода и конструкции светодиодов. [10]
Изложены результаты разработки и исследования электрических и оптических характеристик светодиодов красного излучения из фосфида галлия. Описан метод создания р-п структур и конструкция светодиода. Рассмотрены основные области применения свето-диодов. [11]
Уменьшить потери можно конструктивно. На рис. 4.40, а и б показаны плоская и / полусферическая конструкции светодиодов. [12]
 |
Схемы включения транзисторов. [13] |
Светодиодом называется полупроводниковый двухэлектродный элемент, предназначенный для световой индикации информации. При протекании через светодиод прямого тока в нем происходит инжекция неосновных носителей заряда ( электронов или дырок) в базовую область диодной структуры. Инжектируемые неосновные носители заряда рекомбинируют и при этом выделяют кванты видимого глазом света. В конструкции светодиода предусмотрено отверстие, через которое световой луч поступает наружу. Свечение прекращается вместе с прекращением тока, протекающего через светодиод. Для изготовления светодиодов используются специальные материалы - фосфиды гелия, карбид кремния, твердые растворы сложного состава. [14]
Страницы: 1