Конструкция - теплоотвод
Cтраница 1
Конструкция теплоотвода выбирается из требований, предъявляемых к блоку, где должен быть размещен тешюотвод. Это может быть пластина, теплоотвод с односторонним и двусторонним оребрением, штырьковый теплоотвод с различной формой штыря. [1]
 |
Схема аэродинамической трубы для исследования. [2] |
Требуется рассчитать конструкцию теплоотвода при одностороннем оребрении для обеспечения режимов работы транзистора П217, рассеивающего мощность 10 вт при допустимой температуре р-п перехода 85 С, температуре окружающей среды 40 С и скорости набегающего воздушного потока вдоль ребер 1 5 м / сек; транзистор крепится на гладкой поверхности теплоотвода; тепловое сопротивление переход - корпус 2 С / вт, тепловое контактное сопротивление 1 С / ег. [3]
Методы расчета и конструкции теплоотводов, применяемых в настоящее время, изложены в гл. [4]
На рис. 7 - 7 - 7 - 12 даны справочные листы для ряда конструкций теплоотводов, применяемых в радиоэлектронной аппаратуре. [5]
В книге дается расчет теплоотводов, удобный для практического использования при выборе теплоотводов, а также рекомендации по выбору конструкций теплоотвода, смазок и прокладок. Описаны способы защиты полупроводниковых приборов от электрических перегрузок. Приводятся справочные листы на ряд конструкций теплоотводов с необходимыми характеристиками. Приводится обзор конструкций теплоотводов, применяемых зарубежными фирмами. [6]
Допустимая мощность рассеивания доп, вт, устанавливается, исходя из длительного режима работы для каждого типа стабилитрона, значение этой мощности зависит от площади р-п перехода, конструкции теплоотвода и интенсивности охлаждения. [7]
Здесь Т - температура коллекторного перехода транзистора; Т0 - температура окружающей среды; RT - тепловое сопротивление транзистора, определяющее передачу тепла от коллекторного перехода к корпусу транзистора и зависящее от теплопроводности материалов, из которых изготовлен транзистор, и его конструкции; RTO - тепловое сопротивление теплоотвода, определяющее передачу тепла от корпуса транзистора в окружающую среду и зависящее от конструкции теплоотвода, теплопроводности материала, из которого он изготовлен, и качества теплового контакта корпуса транзистора с теплоотводом. [8]
Для этого обычно используется технологический теплоотвод, основанный на поглощении выделяющейся теплоты за счет термоаккумуляции. Одна из конструкций подобных теплоотводов представлена на рис. 4.21. Его преимуществом является наличие резервуара с водой, теплоемкость которой на порядок выше теплоемкости меди. Это позволяет уменьшить габариты устройства. [9]
Охлаждение спиралей осуществляется потоком воздуха. Необходимость разработки экспериментальной модели обусловлена сложностью получения теоретической модели, достаточно точной для оптимизации конструкции теплоотвода, в связи с трудностями, возникающими при описании тепловых процессов с учетом аэродинамических параметров системы воздушного теплоотвода. [10]
Кривая Рк max const, построенная на выходных характеристиках, будет, очевидно, гиперболой и обычно называется гиперболой допустимой мощности рассеяния. Приводимая в справочниках величина Рк тах соответствует определенным условиям охлаждения ( наличие или отсутствие теплоотвода) и температуре среды. Эти сопротивления определяются конструкцией теплоотводов. [11]
В книге дается расчет теплоотводов, удобный для практического использования при выборе теплоотводов, а также рекомендации по выбору конструкций теплоотвода, смазок и прокладок. Описаны способы защиты полупроводниковых приборов от электрических перегрузок. Приводятся справочные листы на ряд конструкций теплоотводов с необходимыми характеристиками. Приводится обзор конструкций теплоотводов, применяемых зарубежными фирмами. [12]
В книге дается расчет теплоотводов, удобный для практического использования при выборе теплоотводов, а также рекомендации по выбору конструкций теплоотвода, смазок и прокладок. Описаны способы защиты полупроводниковых приборов от электрических перегрузок. Приводятся справочные листы на ряд конструкций теплоотводов с необходимыми характеристиками. Приводится обзор конструкций теплоотводов, применяемых зарубежными фирмами. [13]
Приводимая в справочниках величина Рк. Значение Rn c без теплоотводов для маломощных и мощных транзисторов также часто приводится в справочниках. Значения этих сопротивлений определяются конструкцией теплоотводов. [14]
Конструктивно система зажигания смонтирована в металлической коробке, закрывающейся крышкой. Резистор Дб, выделяющий много тепла, собран из двух и установлен вне коробки. Диоды VD1, VD4, тринистор VS2 и транзисторы VT2 и VT3 установлены на фрезерованном дюралюминиевом теплоотводе. Транзисторы, тринистор и диоды выделяют рчень мало тепла, поэтому конструкцию теплоотвода выбирают только из соображений оптимального размещения деталей. Детали изолируют от теплоотвода слюдяными прокладками. [15]
Страницы: 1 2