Резкая асимметрия

Cтраница 3

Расстояния Мо-О ( А в тетраэдрах Мо ( 4. [31]

Несмотря на наличие существенных угловых искажений в центральных бипирамидах, расстояния Мо-О во всех связях, лежащих в общей экваториальной плоскости бипирамид, остаются весьма близкими друг к другу. В центральных бипирамидах они лежат в пределах 2 00 - 2 02 А, в боковых - в пределах 1 94 - 2 02 А. И лишь в направлении главной оси перпендикулярно слою имеется резкая асимметрия. [32]

В краевых системах более крутым является внутренний борт, претерпевший интенсивную складчатость. Несмотря на значительный приток УВ к этому борту, плохие условия для аккумуляции и сохранности скоплений определяют относительную бедность внутреннего борта, и главные промышленные скопления часто оказываются в пределах более пологого внешнего борта краевой системы и в краевой части платформы. В синкли-нориях и синклинорных прогибах, имеющих крутые крылья, резкая асимметрия еще более отрицательно сказывается на условиях аккумуляции и сохранности залежей УВ. [33]

Конструктивно газоразрядный счетчик представляет собой тонкостенную, обычно стеклянную герметичную камеру цилиндрической формы. С внутренней стороны камера покрыта тонким слоем металла, который служит катодом. Анодом служит тонкая ( диаметром около 0 05 мм) металлическая нить, протянутая по оси цилиндра. Такая резкая асимметрия геометрии электродов приводит к тому, что электрическое поле очень велико в малой области вокруг анодной нити и мало в остальном пространстве внутри счетчика. Ниже мы увидим, что именно этой асимметрией обусловлены основные особенности процессов в газоразрядных счетчиках. [34]

Второй характерной особенностью, отличающей высокомолекулярное соединение от низкомолекулярного, является строение их молекул. Полимерные молекулы обладают высокой степенью асимметрии. Так, например, длина выпрямленной молекулы каучука равна 4000 А, а ее поперечный размер составляет всего 3 А. Такая резкая асимметрия приводит к появлению гибкости формы. Аналогично гибкость проявляется в упругих асимметричных образованиях, например, у стальной проволоки. Но если длина ее в 1000 раз больше диаметра ( диаметр 5 мм и длина 5 м), то проволока становится гибкой. Однако гибкость молекулярных цепей полимера определяется не только ее формой, но и химической природой звеньев основной и боковой цепей. Если силы молекулярного взаимодействия достаточно велики, то гибкость проявляться не сможет. [35]

Вентильный безнакальный газотрон является простейшим газоразрядным прибором. Электродная система вентильного газотрона состоит из цилиндрического холодного катода и расположенного по его оси анода в виде тонкой металлической проволоки, остекленной на большей части длины. Катодный цилиндр изготовляется из чистого металла или имеет активированный слой на внутренней поверхности для улучшения эмиссионных свойств. Вакуумный сосуд может быть стеклянным или металлокерамическим. Отличительной особенностью вентильных газотронов тлеющего разряда является резкая асимметрия их электродов: большая рабочая эмиссионная поверхность катода и малая рабочая поверхность анода. [36]

Фазовую диаграмму типа представленной на рис. 10 следует рассматривать в двух приближениях. Первое, равновесное, приближение позволяет лишь в общих чертах предсказать характер структуры на любом участке системы, безотносительно к тому, каким способом соответствующая точка достигнута. Такое рассмотрение основано на полной аналогии между простыми бинарными смесями и растворами полимеров в низкомолекулярных жидкостях. Сущность аналогии заключается в том, что хотя и принимается во внимание принципиальное различие между свободными энергиями смешения простых жидкостей и систем, содержащих полимеры 31, но на диаграмме это различие выражается лишь в резкой асимметрии бинодалей. В этом приближении вопрос о формировании дискретных и сетчатых структур в растворах и о темпера-турно-концентрационных областях их длительного существования решается в значительной мере исходя из того, каким способом достигается соответствующая точка фазовой диаграммы. [37]

Фазовую диаграмму тина представленной на рис. 10 следует рассматривать в двух приближениях. Первое, равновесное, приближение позволяет лишь в общих чертах предсказать характер структуры на любом участке системы, безотносительно к тому, каким способом соответствующая точка достигнута. Такое рассмотрение основано на полной аналогии между простыми бинарными смесями и растворами полимеров в низкомолекулярных жидкостях. Сущность аналогии заключается в том, что хотя и принимается во внимание принципиальное различие между свободными энергиями смешения простых жидкостей и систем, содержащих полимеры 31, но на диаграмме это различие выражается лишь в резкой асимметрии бинодалей. В этом приближении вопрос о формировании дискретных и сетчатых структур в растворах и о темпера-турно-концентрационных областях их длительного существования решается в значительной мере исходя из того, каким способом достигается соответствующая точка фазовой диаграммы. [38]

Это позволяет более наглядно представить принцип действия самого ключа и тех физических процессов, которые лежат в основе его работы. Схемотехническое описание базовой ячейки в виде эквивалентной электрической схемы позволяет учесть взаимное влияние полупроводникового ключа и устройства применения, сформулировать основные принципы управления данным прибором и способы его защиты. Наконец, сравнительный анализ разнообразных методов построения структуры ключей позволяет выделить их основные достоинства и недостатки и наметить направления и тенденции в развитии их новых и более совершенных типов. Структуры элементарных ячеек будут рассматриваться в виде сочетания переходов различных слоев кремниевого полупроводникового материала с электронной ( л) и дырочной ( р) проводимостью, представленных в поперечном сечении. По соотношению концентраций основных носителей в слоях л - и р - типа переходы делятся на симметричные и несимметричные. В случае резкой асимметрии, когда концентрации основных носителей различаются более чем на порядок, переходы называются односторонними и в структуре ячеек они будут обозначаться символами типар - л, р-п -, р - л - л - и т.п., где знаки и - указывают на высокую или, соответственно, низкую степень легирования полупроводникового слоя. Для подключения элементов структуры к внешним выводам и создания омического контакта используются металлизированные слои, а также слои поликристаллического кремния. [39]

Страницы: 1 2 3