Контакт - кристалл
Cтраница 3
При сближении с поверхностью, хорошо смачиваемой водой, свежеэмульгированные капли жидкости, разрывая свои оболочки, могут вступать в прямой контакт с ней, что обусловливает возможность соприкосновения с поверхностью и кристалла соли. В отличие от предыдущих вариантов контакт кристаллов соли с поверхностью здесь обеспечен, и прилипание частицы к стенке трубы зависит от соотношения сил адгезии между ними, а также от сдвигающего усилия, действующего на частицу со стороны движущегося потока. Это в свою очередь зависит от природы соприкасающихся поверхностей и солености пластовой воды. [31]
ГИФУ, что является в настоящее время чрезвычайно острой проблемой. Любая компоновка ГИФУ, позволяющая размещать большое число кристаллов ИМС в малом объеме, оказывается бесполезной, если она не обеспечивает отвод выделяемой кристаллами теплоты без недопустимого их перегрева. Основными тепловыми сопротивлениями являются места контакта кристалла с коммутационной платой, плат с рамками ГИФУ, а также места контакта рамок между собой и основанием ГИФУ или моноблока. Внешняя теплоотдача от корпуса осуществляется за счет конвекции и излучения, а также с помощью принудительного охлаждения. Для улучшения теплопередачи в окружающее пространство корпуса должны иметь ореб-рение или устанавливаться на теплоотводы. Теплонапряжен-ные ГИФУ ( например, ГИФУ на многослойной керамике) должны разрабатываться с применением принудительного охлаждения, в том числе жидкостного. [32]
Наиболее известные перхлораты аммония, щелочных и щелочноземельных металлов значительно менее опасны. Chemical Corporation) был вызван контактом кристаллов перхлората с медными трубками нагревателей сушильных аппаратов. [33]
Наиболее известные перхлораты аммония, щелочных и щелочноземельных металлов значительно менее опасны. Chemical Corporation) был вызван контактом кристаллов перхлората с медными трубками нагревателей сушильных аппаратов. [34]
 |
Опост Вернейль. [35] |
На этой стадии его работ, по-видимому, была достигнута основная цель-получение довольно крупных кристаллов, но беспокоило их растрескивание. Эта проблема была вскоре решена уменьшением площади контакта кристалла и кристаллоносца, что описывалось во второй, депонированной в Парижской Академии наук статье. [36]
Предположим, что № ( ОН) 2 и SiO2 тотчас же после осаждения находятся в виде малых частиц сферической формы. Восстановление системы водородом приводит к превращению Ni ( OH) 2 в кристаллы никеля, которые опять-таки можно идеализированно представить как сферы. Если в системе имеется недостаточно кремнезема, чтобы препятствовать контакту кристаллов никеля друг с другом, то они будут спекаться в сферы более крупных размеров. Аналогичным образом, если присутствует недостаточно никеля, чтобы предотвратить контакт между сферами SiO2, будет происходить их агломерация в частицы больших размеров. [37]
Для покрытия частиц минеральных удобрений защитными гидрофобными пленками применяют жидкие парафины, масла, нефть и многие другие органические жидкости. Гранулы удобрений покрывают также тонкими пленками синтетических смол, например карба-мидоформальдегидной смолой, которая является медленно действующим удобрением. Все эти покрытия предохраняют гранулы от увлажнения или высыхания и препятствуют контакту кристаллов, приводящему к их сцеплению. [38]
Разность потенциалов точек заземления обусловлена в первую очередь емкостной, индуктивной и резистивнои связями земли ( почвы или специальных контуров заземления) с сетью питания и облаками, несущими электрический заряд. Разность потенциалов вызывается также электрохимическими явлениями: выпрямительным эффектом, возникающим в результате контакта кристаллов, содержащихся в почве, с ее металлическими и рудными включениями; термоэлектрическими явлениями, обусловленными наличием температурных градиентов в металлических включениях и других элементах почвенного слоя. [39]
Она основана на модели с двумя уровнями и использует приближение Брэгга - Вильямса для анализа поверхностного слоя, контактирующего со второй фазой ( с расплавом) в состоянии равновесия. Предполагается, что система находится при температуре равновесия - при температуре плавления ( в случае контакта кристалла с его расплавом) или близко к температуре плавления ( при контакте кристалла с паром); поэтому вопрос о том, будет ли поверхность шероховатой ( когда она наполовину покрыта адатомами) или гладкой ( с малым числом адатомов) в зависимости от температуры, не исследуется. Шероховатость исследуется в зависимости от скрытой теплоты превращения L и от относительной энергии связи атома с ближайшими соседями в данной плоскости. [40]
 |
Электрическое соединение кристалла ИС с внешними выводами корпуса. [41] |
На рис. 1.46 показана последовательность групповой обработки поверхности кристалла при изготовлении контактных выступов. С помощью фотолитографии в пленке вскрывают круглые окна диаметром 0 07 мм, расположенные над внешними алюминиевыми контактами кристаллов. Методом напыления в вакууме последовательно наносят слой ванадия и слой меди толщиной 0 1 и 0 3 мкм соответственно. Ванадий выполняет роль переходного слоя от алюминия к меди, обеспечивая надежный омический контакт. [42]
Наблюдение в течение ограниченного интервала времени приведет к неправильному выводу об устойчивости распределения, если скорость созревания быстро уменьшается в ходе сокристалли-зации. Например, при изучении сокристаллизации Мп2 и MgS04 из водного раствора установлено [15], что твердая фаза MgSO4 - 7H2O с максимальным размером кристаллов га 1 - 10 - 3 - f - 8 - 10 - 3 см, введенная в контакт с насыщенным раствором этой соли, содержащим Мл2, через 8 ч сорбции практически перестает захватывать примесь. По-видимому, стабильность состава твердой фазы при сорбции Мп2 связана с завершением созревания за 8 ч контакта кристаллов с раствором. [43]
 |
Эскиз излучателя ПКГ Комета-1. [44] |
Материал изолятора, кроме того, должен обладать достаточно хорошими изоляционными свойствами. Все элементы конструкции после предварительной металлизации сплавляются. Этим обеспечиваются хороший тепловой контакт, механическая прочность конструкции и достаточно малая величина электрического сопротивления в области контактов кристалла с металлическими пластинами. [45]
Страницы: 1 2 3 4