Cтраница 2
Для обеспечения хорошего теплового контакта необходимо поверхность транзистора, прилегающую к радиатору, смазать невысыхающей смазкой, например силиконовой. [16]
При наличии хорошего теплового контакта между слоями стыковка уравнений ( 8 - 103) осуществляется граничными условиями четвертого рода. В случае плохого теплового контакта вводится контактная проводимость. [17]
При наличии хорошего теплового контакта как между витками в слоях, так и между слоями в обмотке трехмерный характер нормальной зоны может существенно повлиять на величину минимальной энергии возмущения. Соответствующие расчеты можно провести, обобщив теорию, изложенную в разд. [18]
В случае хорошего теплового контакта между обмоткой и каркасом влияние разогрева последнего на скорость перехода магнита может оказаться значительным. Чтобы оценить интервал времени, в течение которого произойдет полный переход магнита в нормальное состояние, необходимо вычислить энергию Es. Первоначальная запасенная энергия магнита равна Е0 L / 2 / 2 1 9 - 105 Дж. [19]
Для обеспечения хорошего теплового контакта между рабочими спаями поверяемой и образцовой термопар горячие спаи помешают в отверстия, высверленные в торце цилиндрического никелевого блока. Для предохранения от загрязнений рабочий участок образцовой термопары защищают тонкостенными колпачками из жаростойких материалов. Во избежание возникновения градиента температур по длине блока последний устанавливают в рабочем пространстве печи в зоне равномерного поля максимальной температуры. После установки термопар в градуировочную печь отверстия ее плотно закрывают. [20]
Находящаяся в хорошем тепловом контакте с ней пленка А1 обладает узким сверхпроводящим переходом ( ДГ - Ю-8 К) и обеспечивает высокий коэф. [22]
![]() |
Схема стабилизации рабочей точки с развязкой коллекторной и базовой цепи по переменному току через емкость СЗ. [23] |
Это солротивление имеет хороший тепловой контакт с корпусом транзистора, который сильнее нагревается при увеличении тока, поэтому термозависимое сопротивление изменяет свою величину. Оно включается так, что при его нагреве уменьшается ток базы или напряжение база - эмиттер, в результате чего уменьшается коллекторный ток, а следовательно, и нагрев корпуса транзистора. [24]
Совершенная термокомпенсация предполагает хороший тепловой контакт R5 и R7 с упругочувствительным элементом. Поэтому компенсирующие резисторы приклеиваются к упругому элементу или соседним частям корпуса электроизоляционным материалом с хорошей теплопроводностью. [25]
Напайка кристалла обеспечивает хороший тепловой контакт с корпусом, а также позволяет заменять - дефектные кристаллы в многокристальных ИС. [26]
Таким образом создается хороший тепловой контакт между стеклом и металлом за счет этой пружинящей системы. [27]
Такая конструкция обеспечивает хороший тепловой контакт с ячейками образцов ( чашками), лежащими на месте спаев термопар. Градуировочный коэффициент порядка 15 мкВ / мВт с относительной погрешностью 0 5 % не зависит от массы образца ( вплоть до 100 мг) и скорости нагревания. В интервале температур 25 - 500 С градуировочный коэффициент в значительной степени ( до 50 %) зависит от температуры. [28]
![]() |
Допустимое рабочее напряжение между проводниками печатной платы. [29] |
Большая поверхность и хороший тепловой контакт с изоляционным основанием обеспечивают интенсивную отдачу теплоты от проводника изоляционной плате и в окружающее пространство, что позволяет пропускать через печатные проводники значительно большие токи, чем через объемные того же сечения. [30]