Низкоомный контакт

Cтраница 2

Существуют два определения омического контакта. Когда мы говорим о контактах второго типа, то имеем в виду контакты, падение напряжения на которых мало по сравнению с падением напряжения на приборе и зависит от тока нелинейно. Низкоомный контакт такого типа называется квазиомическим. [16]

Конструкция селеновых вентилей. [17]

В вентилях серии А одним электродом ( основание вентиля) служит алюминиевая пластина толщиной 0 8 мм, имеющая шероховатую поверхность, а другой, верхний электрод, представляет собой катодный сплав, нанесенный на селен. В вентилях серии Г основанием служит алюминиевая пластина толщиной 0 8 мм, но поверхность ее гладкая, полированная; вторым электродом служит алюминиевая фольга, впрессованная в селен. Внутреннее устройство селенового вентиля можно представить как слой селена, граничащий с одной стороны с электронным полупроводником, с которым он образует р-п переход, а с другой стороны - с материалом, создающим низкоомный контакт. [18]

Расширение области объемного заряда изолирующего р-п перехода ИС.| Транзистор полупроводниковой ИС со скрытым слоем. [19]

Необходимым условием получения высокого коэффициента переноса неосновных носителей в области базы и хороших ВЧ свойств транзистора является малая ширина области базы W. Чтобы обеспечить при этом достаточно высокое пробивное напряжение коллектор - база область объемного заряда перехода должна размещаться преимущественно в коллекторной области, что достигается увеличением концентрации примеси в области базы в 5 - 30 раз по сравнению с коллекторной областью. Концентрацию примеси в эмиттерной области увеличивают еще на полтора-два порядка для получения высокого коэффициента инжек-ции. При указанных соотношениях в легировании отдельных областей концентрация до-норной примеси в приповерхностном слое эмиттера достигает ( 2 - 5) - 1020 см-3. Столь высокая концентрация примеси необходима также для получения хороших низкоомных контактов с металлическими проводниками коммутационного слоя. [20]

Страницы: 1 2