Cтраница 1
Плоскостные контакты позволяют передавать большую мощность. [1]
Плоскостные контакты могут передавать большие токи, но требуют более тщательной подгонки и в настоящее время применяются редко, чаще предусматривается контакт по линии. [2]
Плоскостной контакт по всей ширине кулачков, возможность закаливать и шлифовать на обычных станках сопряженные поверхности повышают долговечность патронов. [3]
Основные размеры трехкулачковых рычажно-клиновых патронов.| Конструкция рычажно-клинового патрона. [4] |
Плоскостной контакт в клиновых сопряжениях обеспечивает износостойкость механизма. [5]
Плоскостной контакт винтовых поверхностей по всей ширине кулачка ( кулачок работает как полугайка) и, как следствие, пониженные удельные давления в сопряжении и повышенная износоустойчивость. [6]
Линейные и плоскостные контакты используются в пуско-регули-рующей аппаратуре двигателей ( контакторы, контроллеры и др.) и предназначены для замыкания цепей большой мощности. [7]
Соприкосновение плоскостных контактов в результате неровностей поверхностей обычно происходит в ряде точек, причем число точек пропорционально площади соприкосновения поверхностей и увеличивается при повышении чистоты обработки поверхностей. [8]
Схема плоскостного контакта дана на фиг. [9]
В плоскостных контактах щуп размером 10X0 05 ям не должен проникать на глубину более 5 - 6 мм. [10]
К расчету температуры контакта. [11] |
Представим себе плоскостной контакт и отнесем переходное сопротивление Rp ко всей поверхности контактирования, площадь которой положим равной площади поперечного сечения токоведущих деталей. В таких условиях фактически не учитывается влияние мест сужения на отвод тепла от контакта и расчетные значения температуры оказываются несколько заниженными. Пусть начало координат ( 0) совмещено с площадкой контактирования. [12]
Случай т1 ( плоскостной контакт, многопластинчатый щеточный контакт) встречается редко. [13]
Явления в р-га-переходе. [14] |
Образование р-л-перехода у плоскостных контактов между полупроводником и металлом объясняется на основе предположения о наличии очень большого количества игольчатых переходов между плоскостями полупроводника и металла, каждый из которьих действует аналогично рассмотренным выше точечным контактам. [15]