Хороший омический контакт

Cтраница 1

Хороший омический контакт ( обогащенный носителями слой) имеет место при соединении металла с меньшей работой выхода с полупроводником я-типа пли при соединении металла с большей работой выхода с полупроводником р-типа. Сопротивление такого контакта не зависит от полярности приложенного напряжения. [1]

Хороший омический контакт должен обладать линейной вольтамперной характеристикой и малым переходным сопротивлением, для того чтобы общая рассеиваемая прибором мощность была обусловлена только объемом GaAs. Диоды Ганна могут быть выполнены в различных вариантах корпусов. [2]

Создать хороший омический контакт путем непосредственного нанесения слоя металла на поверхность полупроводника нельзя, так как на границе полупроводник - металл образуется потенциальный барьер с нелинейными свойствами. Поэтому осажденный слой металла обычно подвергают термообработке. В результате термообработки поверхностная область полупроводника обогащается атомами металла или специально добавляемого в металл элемента ( вследствие образования рекристаллизирован-ного или диффузионного слоя), что меняет электрические свойства контакта. [3]

Структуры планарно-эпитаксиальных транзисторов. [4]

В этих местах алюминий образует хороший омический контакт с полупроводником. Коллекторный контакт к кремниевой пластине образуют химическим осаждением слоев никеля и золота. [5]

Тщательная доводка заготовок необходима для получения хороших омических контактов, что особенно важно на пластинках малой площади. [6]

При такой структуре прибора проблема создания хороших омических контактов становится очень важной. [7]

Распределение потенциала в диоде Ганна при формировании и движении домена. [8]

В работающем диоде к пластине кристалла с хорошими омическими контактами прикладывается напряжение ( плюс к аноду, минус к катоду - рис. 2 - 27 а), создающее напряженность электрического поля чуть меньше критической. [9]

Распределение по-тенциала в диоде Ганна при формировании и движении до-мена. [10]

В работающем диоде к пластине кристалла с хорошими омическими контактами прикладывается напряжение ( плюс к аноду, минус к катоду - рис. 2 - 27, а), создающее напряженность электрического поля чуть меньше критической. [11]

Для многих твердых тел давление металлического щупа обеспечивает хороший омический контакт с пробой. Для выполнения таких измерений необходимо только прижать зонд к пробе независимо от ее формы и размеров при условии, что проба достаточно велика по сравнению с расстоянием между щупами зонда. В этом случае пробу можно считать бесконечно большой. Ток проходит между внешними щупами, а падение напряжения измеряется между внутренними щупами. [12]

К недостаткам метода совмещения эффекта фотопроводимости и фотомагнитного эффекта следует отнести необходимость обеспечения на образце хороших омических контактов. [13]

На этой пластине эпи-таксиальным наращиванием получают тонкий, толщиной в несколько микрон, монокристаллический слой кремния - 5 того же типа электропроводности п, но с большим удельным сопротивлением, имеющий с пластиной хороший омический контакт. Наиболее распространенным способом эпитаксиального паращивания кремния является способ термического восстановления его из тетрахлорида кремния. При этом смесь тетрахлорида кремния с водородом-носителем пропускается нед нагретой до 1 200 С пластиной кремния. В результате химической реакции освобождается НС1, пары которой уделяются из зоны реакции, а на пластину осаждается элементарный кремний, атомы которого ориентируются в соответствии с осями ее кристаллической решетки, образуя новый слой монокристалла. Если в газовую смесь ввести лримеси, то можно получить слой кремния, в котором примеси распределены равномерно. В эпитаксиальном слое методом локальной диффузии через специальную маску из двуокиси кремния образуют р-ге-переходы. [14]

Необходимо указать, что вся проблема технического использования эффекта Холла находится в настоящее время лишь в самой начальной стадии и впереди предстоит очень большая работа по подбору наилучших полупроводников для той или иной задачи, разработке методов получения хороших омических контактов, компенсации температурных изменений и улучшения линейности датчиков. Рассмотрение различных применений неизбежно будет носить поэтому характер лишь обсуждения принципиальных возможностей, открываемых эффектом Холла в полупроводниках с большой подвижностью электронов, а не описания конкретных технических приборов. [15]

Страницы: 1 2 3