Cтраница 3
Все продукты синтеза подвергнуты изучению на электронном микроскопе JEM - 6A методами микродифракции и дифракционного контраста. [31]
Мы же получим необходимые выражения несколько иным путем, примерно так, как было в кинематической теории дифракционного контраста для дефекта упаковки, расположенного параллельно плоскости фольги. [32]
Для изучения строения и свойств отдельных дислокаций и также различных дислокационных структур наиболее часто применяют электронно-микроскопическую методику, основанную на наблюдении дислокаций по дифракционному контрасту, возникающему из-за искажения решетки вблизи ее ядра. Эта методика позволила наблюдать расщепление дислокаций и образование расщепленных узлов ( рис. 13.32), предсказанное теоретически. [33]
Контролирующим фактором правильности той или иной модели может также служить сопоставление значений векторов смещения решеток в каждом из вариантов с экспериментальными значениями этих векторов, найденными методом дифракционного контраста. Такое сопоставление ( табл. 11) подтверждает корректность - модели. [34]
Контролирующим фактором правильности той или иной модели может также служить сопоставление значений векторов смещения решеток в каждом из вариантов с экспериментальными значениями этих векторов, найденными методом дифракционного контраста. Такое сопоставление ( табл. 11) подтверждает корректность - модели. [35]
![]() |
Наклонное расположение. [36] |
Единственное непосредственное изображение мозаичной структуры было получено на темнопольных электронных микрофотографиях монокристаллов ПОМ ( Garber, см. [47]), хотя и в этом случае нельзя с уверенностью утверждать, что дифракционный контраст снимка обусловлен действительной тонкой структурой кристалла, а не есть результат радиационных повреждений. [37]
![]() |
Влияние рельефа шлифа на кажущееся число и размеры частиц.| Схемы вырывания неметаллических включений при шлифовке и замазывание их при полировке на продольном ( а и поперечном ( б шлифах. [38] |
Операции препарирования шлифовка) могут заметно исказить структуру, особенно дислокационную, вследствие нагрева и деформации. Дифракционный контраст обязывает применять гониометрическое устройство для выведения всех элементов структуры в отражающее положение [6, 7], Геометрические источники погрешностей - взаимная экранировка частиц при проецировании на плоскость наблюдения, пересечение некоторых частиц граничными поверхностями. [39]
Как известно, при электронно-микроскопических исследованиях на просвет приходится сталкиваться либо с дифракционным, либо с абсорбционным контрастом. Дифракционный контраст обусловлен различными условиями вульф-брэгговского рассеяния электронов в соседних областях объекта и существенным образом зависит от величины и направления вектора действующего отражения. Исходное состояние аморфного сплава характеризуется абсорбционным контрастом и, следовательно, наличием областей порядка 10 нм, плотность или толщина которых отлична от соответствующих характеристик окружающей матрицы. Скорее всего, визуализируются флуктуации плотности, которые характерны для аморфного состояния. [40]
Первый путь, который условно можно назвать экспериментальным, заключается в следующем. Методом дифракционного контраста с использованием рентгеновской топографии ( для макродвойников) или под электронным микроскопом ( для микродвойников) исследуется контраст двойниковой границы в различных отражениях. [41]
Сбоку электронограммы помещено изображение объекта, с которого получена дифракционная картина. В режиме дифракционного контраста хорошо видно две составляющие, одна из которых относится к фторсмектиту, а другая - узкая тонкая полоска, расположенная на краю кристалла - представлена амфиболом. [42]
В совершенном кристалле ширина рентгеновской дифракционной линии мала ( порядка нескольких угловых секунд), поэтому мала и интенсивность отражения ( интегральная), измеряемая площадью под профилем линии. Это приводит к дифракционному контрасту, позволяющему выявить дислокации в кристалле, если их плотность невелика. [43]
Сделанные замечания чрезвычайно существенны для техники наблюдения дислокаций и дисклинаций в кристаллах, содержащих эти дефекты одновременно. Из-за неинтегрируемости пластических поворотов интерпретация дифракционных контрастов может быть весьма неоднозначной. [44]
При фокусировании этих пучков получается изображение, дифракционный контраст к-рого зависит от распределения интенсивности электронов, отраженных под брэгговскими углами от разных участков образца. [45]