Cтраница 4
![]() |
Измеритель глубины. [46] |
Конструкция глубиномера обеспечивает быстрый и точный контроль качества опрессовки всех типоразмеров кабельных наконечников и соединительных гильз. [47]
Поэтому в процессе точного контроля измерительный инструмент следует брать за термоизоляционные накладки и ручки или применять термоизолирующие перчатки. Для поддержания нормального температурного режима в контрольно-сортировочных отделениях, а также в других целях, особенно в сборочных, необходимо вводить кондиционирование воздуха. Желательно при контроле деталей применять различные шаблоны и калибры. Далее подсчитать среднее значение измеряемой величины, которое будет близко к действительной. [48]
Спиральная намотка требует очзнь точного контроля за равномерным распределением материала по справка. [49]
С целью обеспечения точного контроля хода штампов, при завершении черновой ковки дингот-металла перед окончательной прокаткой в прутки для тепловыделяющих элементов используются мерные подставки. При достижении размеров заготовки 140х 185 мм черновая ковка считается законченной. [51]
Важным условием осуществления точного контроля диаметров деталей методом обкатывания мерительным роликом является отсутствие проскальзывания от сил сопротивления вращению и геометрического скольжения последнего. [52]
Спиральная намотка требует очень точного контроля соотношения скоростей, которое обеспечивает равномерное распределение материала по оправке. Конструкции машин становятся значительно сложнее, однако это пока единственный путь получения изделий с переменным поперечным сечением, в том числе и замкнутых. [53]
Метод применяется для точного контроля малых доведенных поверхностей. Интерференционные полосы возникают при наличии зазора между проверяемой поверхностью и плоской стеклянной пластиной. Погрешность метода не превышает 0 1 мк. [54]
В ходе процесса возможен точный контроль вводимых-электрически активных примесей, которые в небольшом количестве могут быть добавлены к тетра-хлориду кремния. В зоне реакции эти соединения должны разлагаться так, чтобы в решетку выращиваемого кристалла внедрялись атомы примеси. [55]