Cтраница 4
Шаблоны-экраны изготовляются из тонких стальных листов, размеры которых должны быть несколько больше проекции детали. Листы покрывают тонким слоем воска и вычерчивают на них контуры проекции размечаемой детали со всеми приливами, бобышками и с рисками, подлежащими перенесению на деталь. Ничего лишнего, не связанного с разметкой, на шаблон-экран не наносят. Затем шаблон протравливают кислотой для закрепления рисок на металле. После снятия с шаблона слоя воска на металлическом листе остается разметочный чертеж без размерных линий, но с изображением основных контуров детали и с центровыми рисками. [46]
Обвести линия - часть плоскости треугольника закрасить, ми контура проекции усеченной пирамиды и заштриховать проекции фигуры образовавшегося верхнего основания ( черт. [47]
Лист покрывают тонким слоем воска и вычерчивают на нем остро отточенными резцами контуры проекции размечаемой де тали со всеми рисками, подлежащими переносу на деталь. [48]
![]() |
Разметка с помощью экран-шаблона. [49] |
Лист покрывают тонким слоем воска и вычерчивают на нем остро отточенными резцами контуры проекции размечаемой детали со всеми рисками, подлежащими переносу на деталь. [50]
Эти построения следует, как правило, начинать с определения так называемых опорных точек искомой линии, а уже затем дополнять их промежуточными. К опорным точкам относятся высшая и низшая точки сечения, точки на контурах проекций. Две первые позволяют судить о том, в какой части поверхности по высоте следует находить промежуточные точки, а точки на контуре каждой проекции отделяют видимую часть кривой сечения от невидимой. [51]
![]() |
Диаграммы трехкомпонентной смеси с многофазными зонами. [52] |
Влияние температуры ( или давления) может быть показано на диаграмме в виде трехгранной призмы. На рис. 5.7 а представлена фазовая диаграмма тройной системы, на которой показаны изотермические сечения, демонстрирующие ограниченную растворимость жидкости, а на рис. 5.7 6 представлена система, содержащая жидкую и твердые фазы. На обеих диаграммах даны контуры проекций изотерм на основание. [53]