Cтраница 1
Конфигурация изоляторов также оказывает существенное влияние на механизм развития разряда. В качестве примера можно указать, что на противотуман-ных изоляторах тарелочного типа сильно вытянутое ребро на нижней поверхности тарелки играет роль барьера, затрудняющего продвижение частичной дуги. На механизм развития разряда значительное влияние может оказывать также взаимное пространственное расположение отдельных элементов изоляционной конструкции. [1]
При разработке конфигурации изоляторов следует избегать резких переходов от толстого сечения фарфора к тонкому, ибо в месте такого перехода часто появляются трещины из-за температурных напряжений, возникающих при обжиге. Следует также по возможности закруглять все углы переходов. [2]
При разработке конфигурации изоляторов следует избегать резких переходов от толстого сечения фарфора к тонкому, так как в месте такого перехода легко появляются трещины вследствие температурных напряжений, возникающих при обжиге. [3]
Изучение влияния конфигурации изоляторов на их загрязняе-мость и естественную очистку должно в основном проводиться непосредственно в условиях эксплуатации. [4]
На основании этих расчетов устанавливается окончательная конфигурация изолятора. [5]
В настоящее время общепризнано, что конфигурации изоляторов, оптимальной для любых условий загрязнения, не существует. Накопленный опыт эксплуатации изоляторов различной конфигурации еще не позволяет дать четкие рекомендации по наиболее эффективной конфигурации для конкретных районов загрязнения. [6]
Критическая длина канала частичной дуги определяется величиной приложенного напряжения, конфигурацией изолятора и условиями его загрязнения и увлажнения. [7]
Удельная поверхностная проводимость определяется не только условиями загрязнения, но зависит и от конфигурации изоляторов. Поэтому измерение удельной поверхностной проводимости во всех районах должно производиться на изоляторах одного типа, предпочтительно наиболее простой конфигурации, что должно быть отражено в унифицированной методике. [8]
В работе получены линейные зависимости разрядных характеристик увлажненной изоляции от давления воздуха независимо от конфигурации изоляторов, способа увлажнения и вида воздействующего напряжения, что подтверждает правильность используемой в практических расчетах формулы ( 1) для пересчета разрядных напряжений увлажненной изоляции по давлению воздуха. [9]
Для изоляторов подвесного типа не отмечено тенденции усиления зависимости мокроразрядных напряжений с увеличением развитости поверхности в весьма широком диапазоне изменения конфигурации изоляторов. [11]
Дальнейшие работы в этом направлении имеют большой практический интерес, поскольку, как показали лабораторные испытания, выполненные в НИИПТ, влияние конфигурации изоляторов на их разрядные характеристики при загрязнении и увлажнении может быть весьма значительным. При равномерном загрязнении смесью глины и соли с плотностью 3 мг / см2 ( 0 03 мг NaCl / см2) были определены разрядные напряжения увлажненных туманом изоляторов с ребрами простой формы при варьировании отдельных конструктивных элементов. В табл. 3 - 12 приведены результаты испытаний как изоляторов, выпускаемых промышленностью, так и опытных образцов, специально изготовленных для испытаний. [12]
Дальнейшие работы в этом направлении имеют большой практический интерес, поскольку, как показали лабораторные испытания, выполненные в НИИПТ, влияние конфигурации изоляторов на их разрядные характеристики при загрязнении и увлажнении может быть весьма значительным. При равномерном загрязнений смесью глины и соли с плотностью 3 мг / см2 ( 0 03 мг NaCl / см2) были определены разрядные напряжения увлажненных туманом изоляторов с ребрами простой формы при варьировании отдельных конструктивных элементов. В табл. 3 - 12 приведены результаты испытаний как изоляторов, выпускаемых промышленностью, так и опытных образцов, специально изготовленных для испытаний. [13]
Процессы на поверхности загрязненных и увлажненных изоляторов в общем случае определяются не только уровнем воздействующего напряжения, но также характеристиками загрязнения, видом увлажнения и конфигурацией изолятора. Например, при слабых загрязнениях или при резко неравномерном распределении загрязняющего вещества по поверхности изолятора возрастает вероятность частичного шунтирования разрядом воздушных промежутков между отдельными частями изоляторов. В последнем случае вследствие неравномерного распределения напряжения вдоль изолятора образование частичных дуг, перекрывающих слабо загрязненные участки, может произойти и без существенной подсушки слоя загрязнения. [14]
Выполненные исследования, в том числе и данные НИИПТ [33], показывают, что возможное повышение разрядных напряжений, измеренных в лабораторных условиях, определяется полным сопротивлением испытательной схемы и нагрузкой ( величиной наибольшего тока утечки / в предразрядном режиме), которая зависит от конфигурации изоляторов и характеристик проводящего слоя на их поверхности. Обычно испытательные схемы характеризуют не их внутренним сопротивлением, а величиной внешнего тока короткого замыкания Ik при напряжении, соответствующем разрядному напряжению изолятора. Величина ошибки при определении разрядных напряжений зависит от отношения / / / &. Исследованиями установлено, что по мере роста индуктивной составляющей сопротивления схемы хсх при сохранении величины It, ошибка при определении разрядных напряжений будет уменьшаться. [15]