Конфигурация - тип
Cтраница 1
Конфигурации типа / и 2 не имеют элементов симметрии и образуют регулярные наборы по 12 конфигураций в каждом. Набор конфигурации 3 уже регулярного и содержит согласно приведенному на стр. [1]
Конфигурация типа Д2 обладает большой пропускной способностью и может использоваться длительное время без преобразования в другие типы. Она применяется в сетях 110 кВ систем электроснабжения городов, а также в сетях 110 - 220 кВ для электроснабжения протяженных потребителей - электрифицируемых железных дорог и трубопроводов. [3]
Конфигурация типа благородного газа исключительно стабильна этим объясняется то, что вырывание из нее электрона требует большой затраты энергии. [4]
Простые корректирующие конфигурации типа зигзаг или плоская волна могут объединяться в сложные образования. Обычно это происходит на фазах нерешительности, торможения в развитии рынка. [5]
 |
Индекс S & P500 с января 2000 по январь 2001 гг. ФИ-спирали на дневной основе, идентифицирующие важную впадину. [6] |
Вспоминая конфигурации типа пик и впадина на недельных графиках, мы понимаем, что эта впадина не подтверждена на недельной основе. Это промежуточная точка разворота между недельным пиком Р 11 и недельной впадиной V 12, и она не является важным долгосрочным разворотом тренда. [7]
Пространство конфигураций типа 9 расслоено над S ( CP2v, 2) с типичным слоем ( С1 2) х х5 ( С1 2), и все гомологии исчезают уже над каждым таким слоем. [8]
Рассмотрим теперь конфигурации типа белых карликов, в которых нет магнитного поля, но есть вращение. [9]
В случае конфигураций типа квадратной антипризмы и додекаэдрической существует d - орбиталь, не использующаяся для образования ст-связей; эта орбиталь может участвовать в образовании я-связей с лигандами. В додекаэдрической конфигурации орбиталь dxz-y 2 образует я-связи только с лигандами В ( см. рис. 11.370), но в структуре типа квадратной антипризмы любые ли-ганды могут быть связаны с металлом я-связью с помощью орбитали dtf. В додекаэдрической структуре в ионах с электронной конфигурацией d орбиталь dxz - p вакантна, так что она может принимать электроны от я-доноров. Поэтому, если не сказывается влияние других факторов, следует ожидать, что лучшие я-доноры будут занимать положения В. С другой стороны, в случае ионов с электронной конфигурацией dl или d2 следует ожидать, что положения В будут заняты я-акцептора-ми, способными принимать электроны с однократно или дважды заполне-нной орбитали. Таким образом, в комплексах диарсина стерические препятствия, создаваемые громоздкими хелатными лигандами, играют более важную роль в определении строения комплексов, чем стремление к образованию слабой я-связи. [10]
Эта фигура обозначается конфигурацией типа V или U, в зависимости от того, насколько резким оказывается разворот. В качестве примера рассмотрите приведенный ниже график Vertias ( VRTS), демонстрирующий U - образный минимум в начале апреля и затем снова минимум в конце апреля, прежде чем в начале мая рынок двинется вверх. [11]
Это означает, что только конфигурации типа о аа2 участвуют в разложении волновой функции активирбванной молекулы по волновым функциям колебательно-возбужденной активной молекулы. Конфигурация же типа а о 2яп не участвует в этом разложении. [12]
Для шишечных превенторов: вся уплотняющая конфигурация плашечного типа ( трубные, глухие, срезные и с переменным отверстием) должны быть испытаны в соответствии с данными табл. 111 - 21 спецификации. Испытанию на герметичность подвергаются уплотнения плашки с переменным проходным отверстием с указанием минимального давления закрытия и открытия, при котором появляется течь. [13]
В репрограммируемых ПЛИС с памятью конфигурации типа EEPROM ( Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) стирание старых данных осуществляется электрическими сигналами. Управление процессами в транзисторе производится с помощью двух затворов - обычного и плавающего. При определенных сочетаниях программирующих напряжений на внешних выводах транзистора ( плавающий затвор внешнего вывода не имеет) создаются режимы как заряда плавающих затворов, так и их разряда. Электрическое стирание содержимого памяти не требует извлечения микросхем из устройства, в котором они используются. Элементы памяти с электрическим стиранием вначале заметно проигрывали элементам с ультрафиолетовым стиранием по площади, занимаемой на кристалле, но быстро совершенствуются и становятся преобладающими для класса ПЛИС со стиранием конфигурации в специальных режимах. [14]
 |
Мультипроцессорные системы с архитектурой танцевальный зал и. [15] |
Страницы: 1 2 3 4