Электронная конфигурация - благородный газ
Cтраница 2
При исследовании термодинамики взаимодействия между ионами и водой в растворах фторидов различных металлов с электронной конфигурацией благородных газов Магну-сон [67] нашел, что ионные связи делокализованы и простираются дальше расположения молекул воды в координационных сферах. В растворах этих электролитов гидратация протекает также я за счет ковалентных связей. [16]
От этих соображений только шаг до главного постулата теории Льюиса: каждый атом стремится приобрести электронную конфигурацию ближайшего благородного газа. [17]
Правило эффективного атомного номера ( ЭАН) Сиджвика указывает на тенденцию центрального атома получить за счет комплексообразования электронную конфигурацию благородного газа. Число собственных электронов центрального атома вместе с числом электронов, полученных им от лигандов, называют эффективным атомным номером. Согласно правилу Сиджвика ЭАН должен быть равен атомному номеру ближайшего благородного газа, что и определяет координационное число комплексообразователя. Так, ион Со3 имеет 24 электрона ( 27 - 3) и до 36 электронов атома криптона ему не достает 12 электронов, которые он получает, координируя около себя 6 лигандов. Правило Сиджвика имеет много исключений, но всегда соблюдается для некоторых классов комплексных соединений - карбо-нилов и комплексов с непредельными углеводородами. [18]
Галогены отличаются самым высоким сродством к электрону, так как при присоединении одного электрона к нейтральному атому они приобретают законченную электронную конфигурацию благородного газа. Щелочные металлы характеризуются низким сродством к электрону. Для решения вопроса о том, какой из атомов легче отдает или присоединяет электрон, учитывают оба показателя: ионизационный потенциал и сродство к электрону. [19]
Галогены отличаются самым высоким сродством к электрону, так как при присоединении одного электрона к нейтральному атому они приобретают законченную электронную конфигурацию благородного газа. Щелочные металлы характеризуются низким сродством к электрону. Для решения вопроса о том, какой из атомов легче отдает или присоединяет электрон, учитывают оба показателя: энергию ионизации и сродство к электрону. [20]
 |
Энергетически диаграмма расщепления rf - уровия электронов в октаэдрическом ( а и тетраэдрическом ( б окружении комплексообраэователя лигвндами. [21] |
Теория кристаллического поля объясняет хорошо известный химикам факт, что ионы - элементов встасчых декад окрашены, а ионы, имеющие электронную конфигурацию благородных газов ( ионы 5 - и р-элементов), бесцветны. [22]
 |
Энергетическая диаграмма расщепления d - уровня электронов в октаэдрическом ( а и тетраэдрическом ( б окружении комплексообразователя лига цдами. [23] |
Теория кристаллического поля объясняет хорошо известный химикам факт, что ионы / - элементов вставных декад окрашены, а ионы, имеющие электронную конфигурацию благородных газов ( ионы s - и р-элементов), бесцветны. [24]
Таким образом, в подгруппах объединяются элементы со сходной электронной конфигурацией при разных значениях главного квантового числа, а в периодах идет ее перестройка при постоянном п до получения электронной конфигурации благородного газа. [25]
Таким образом, в пределах малых периодов происходит заполнение внешнего энергетического уровня от 1 до 8 электронами. Предвнешние уровни завершены и соответствуют электронным конфигурациям благородных газов предшествующих периодов. [26]
Таким образом, здесь так же, как и для превращения у - Се - а - Се, имеет место изоморфный переход без изменения симметрии кристаллической структуры. Но в этом случае атом цезия приобретает электронную конфигурацию благородного газа, что должно привести к потере химической активности и потере электрической проводимости. Изучение электрической проводимости цезия показало, что при появлении фазы CsIII электросопротивление ее очень сильно возрастает, что служит косвенным подтверждением предложенного механизма. При переходе CsIII - - - Cs IV электросопротивление вновь падает до обычной для металлов величины. [27]
Представления Сиджвика о хдонорно-акцепторном характере связей в комплексах оказались, по существу, правильными, хотя во многих случаях некоторые основные положения и следствия этих представлений не были подтверждены. Показано, например, что образование комплекса не всегда связано с Получением электронной конфигурации благородного газа. [28]
Теория валентности Льюиса различает два основных типа химической связи: ионную и ковалентную. Считают, что причиной образования химической связи является спаривание электронов с образованием стабильных октетов, соответствующих электронной конфигурации благородных газов. Эта идея о спаривании электронов оказала существенное влияние на первые успешные в количественном отношении теории химической связи, которые в сущности и были описанием спаривания электронов на языке волновой механики. Как будет видно в дальнейшем, спаривание электронов тесно связано со свойством электрона, которое в 1923 г. было еще неизвестно, а именно с его спином. [29]
Отдавая или принимая электроны, атомы взаимодействующих элементов превращаются в положительные или отрицательные ионы, которые затем притягиваются электростатически, согласно закону Кулона, образуя ионную связь. На-ример, атом лития, образуя ионную связь с атомом фтора, теряет один электрон и приобретает электронную конфигурацию благородного газа - гелия. Одновременно фтор, приобретая электрон, достраивает свою электронную оболочку до электронной конфигурации другого благородного газа - неона. [30]
Страницы: 1 2 3