Cтраница 2
Скорость движения двухатомных ступенек Vs по поверхности является критическим параметром в процессах растворения. Свободные места, образующиеся при уходе одного или двух смежных атомов из первого поверхностного слоя, являются зародышевыми точками для ступенек. Скорость зародыше-образовании этих дефектов Vn должна быть меньше, чем Vs, я, следовательно, определять скорость процесса. Если V п больше, чем Vs, то большое число свободных атомных мест на поверхности приводит к поверхностной конфигурации с двумя типами атомов, но такая конфигурация не стабильна, как указывалось ранее. Установлено, что скорость растворения В-поверхностей, например InSb, в окисляющем тра-вителе при 0 уменьшается от 7 8 до 0 36 мг / см3 в присутствии 0 5 % бутиламина. [16]