Cтраница 2
Из последнего выражения непосредственно явствует, что этими так называемыми электродами второго рода можно также пользоваться для того, чтобы определять концентрацию отрицательных ионов. Поэтому эти электроды называют также обратимыми по отношению к аниону. [16]
Так, например, ЦНИИЭП учебных зданий и кафедра физиологии Московского педагогического института имени В. И. Ленина показали [6, 9], что в школах ( проведено 385 опытов с участием 96 человек) при создании концентрации легких отрицательных ионов 3 - 5 тыс. шт / см3 повышается умственная и физическая работоспособность школьников 7 - 9 лет, а при концентрации легких положительных ионов 3 - 4 тыс. шт / см3, наоборот, умственная и физическая работоспособность учащихся падает. [17]
Назовем изоэлектрической точкой такое состояние, при котором число положительных зарядов на глицине равно числу отрицательных. В этой точке концентрация отрицательных ионов глицина должна быть равна концентрации положительных. [18]
Как правило, в закрытом помещении концентрация ионов, если нет дополнительных источников ионов, является низкой по сравнению с той, что наблюдается в открытых местах. Из этого следует, что увеличение концентрации отрицательных ионов в воздухе внутри помещений улучшит качество воздуха. [19]
Вблизи аппарата преобладали отрицательные, а вдали - положительные ионы. При добавлении к водопроводной воде лекарственных веществ концентрация отрицательных ионов была меньше, чем при распылении одной водопроводной воды, в то время как концентрация положительных ионов мало менялась. [20]
В нем хорошо растворяются рода, фториды, сульфаты и нитраты s - элемен-тов I группы, несколько хуже аналогичные соединения - элементов II группы. При этом растворенные вещества, отнимая от молерул HF протоны, увеличивают концентрацию отрицательных ионов ( НГз), т.е. ведут себя как основания. [21]
В зависимости от времени и места резко меняется концентрация малых ионов, больших ионов и ядер конденсации, из которых образуются большие ионы. Вблизи земной поверхности концентрация положительных ионов примерно на 10 - 20 % превышает концентрацию отрицательных ионов. Частично это объясняется притяжением положительных ионов и отталкиванием отрицательных ионов заряженной отрицательно поверхностью земли. [22]
На внутреннем участке коронирующего слоя ( Ь 0) отрй дательных ионов нет, число электронов ничтожно мало. На наружном участке коронирующего слоя ( Ь 0) по мере приближения к внешней границе этого слоя концентрация отрицательных ионов начинает преобладать над концентрацией положительных. [23]
Здесь А - некоторый коэффициент, зависящий от природы электролита и его температуры. Число обратных актов рекомбинации пропорционально числу соударений разноименных ионов, а это последнее пропорционально как концентрации положительных ионов па, так и концентрации отрицательных ионов, равной также пч. [24]
Мы рассмотрим коллоиды, для которых § 1, так как С-потенциал их значительно больше kТ ( 0 025 в при комнатной температуре), и только у таких систем наблюдается разделение на две фазы. Вблизи поверхности мицеллы, когда е больше 0, концентрацией положительных ионов по уравнениям ( 11) и ( 12) можно пренебречь по сравнению с концентрацией отрицательных ионов, так как последние образуют прочный слой, окружающий мицеллу. На расстоянии от поверхности, при котором потенциал оказывается меньше 0 04 в, присутствуют и положительные и отрицательные ионы, и, следовательно, свойства разбавленной фазы можно рассматривать на основе общих положении теории Дебая-Гкжкеля. [25]
AT ( 0 025 в при комнатной температуре), и только у таких систем наблюдается разделение на две фазы. Вблизи поверхности мицеллы, когда е больше И, концентрацией положительных ионов по уравнениям ( 11) и ( 12) можно пренебречь по сравнению с концентрацией отрицательных ионов, так как последние образуют прочный слой, окружающий мицеллу. На расстоянии от поверхности, при котором потенциал оказывается меньше 0 04 в, присутствуют и положительные и отрицательные ионы, и, следовательно, свойства разбавленной фазы можно рассматривать на основе общих положений теории Дебая-Гюккеля. [26]
Строение двойного электрического слоя на границе металл - раствор характеризуется некоторым распределением ионов электролита, зависящим от знака и величины заряда металла. В случае отрицательного заряда металла положительные ионы электролита концентрируются вблизи поверхности и их концентрация убывает с расстоянием от поверхности, создавая диффузный слой ионов. Концентрация отрицательных ионов, наоборот, благодаря силам отталкивания уменьшается вблизи поверхности металла по сравнению с их концентрацией в растворе. [27]
На рабочих местах, где отсутствует значительная ионизация, часто накапливаются большие ионы. Наиболее ярко выражено это для герметизированных мест, которые находятся, например, в шахтах. Концентрация отрицательных ионов значительно уменьшается внутри помещений и в загрязненных и загашенных зонах. Одной из многих причин, почему концентрация отрицательных ионов уменьшается внутри помещений, является наличие системы кондиционирования воздуха. Отрицательные ионы захватываются потоками воздуха и воздушными фильтрами или притягиваются положительно заряженными поверхностями. Например, электронно-лучевые экраны и мониторы компьютеров положительно заряжены, создавая в непосредственной близости от себя дефицит отрицательных ионов. Системы фильтрации воздуха, спроектированные для чистых комнат, с очень низкими уровнями загрязнения по взвешенным частицам, также представляют собой зоны с отсутствием отрицательных ионов. [28]
Если процесс электролиза продолжается, то на левом электроде выделяется водород, на правом - иод. Поскольку у левого электрода концентрация положительных ионов с течением времени уменьшается, остающиеся отрицательные ионы удаляются из этой области за счет сил электростатического отталкивания и переносятся в правую часть раствора, где положительные ионы имеются в избытке. Здесь постепенно уменьшается концентрация отрицательных ионов, так что остающиеся положительные ионы удаляются за счет сил электростатического отталкивания и переносятся в левую часть раствора, где отрицательные ионы имеются в избытке. Иод-ионы движутся в растворе слева направо, перенося отрицательные заряды. В то же время ионы водорода Н движутся в растворе справа налево, перенося положительные заряды. Таким перемещением ионов в растворе - положительных в одном направлении и отрицательных в другом - и объясняется проводимость водных растворов электролитов. [29]
Рассмотрим картину образования p - n - лерехода. При этом для простоты будем считать, что p - n - переход образован в результате соприкосновения двух полупроводников р - и n - типов и концентрации электронов в области n - типа и дырок в области р-типа равны. При комнатной температуре практически все атомы примесей полупроводника ионизированы: в полупроводнике р-типа концентрация отрицательных ионов акцепторов Na равна концентрации свободных дырок рр, а в области n - типа концентрация положительных ионов доноров Nd равна концентрации свободных электронов пп. Кроме того, в каждой области имеется небольшое количество неосновных носителей. При создании p - n - перехода ( упрощенно - при соприкосновении областей р - и п-токов) равенство между количеством ионов и свободных носителей заряда нарушается. Так как между областями р - и n - типов существует значительная разница в концентрации дырок и электронов, происходит диффузия дырок в область n - типа и электронов - в область р-типа. [30]