Концентрация - свободный носитель - ток
Cтраница 1
Концентрация свободных носителей тока в полупроводниках очень низка по сравнению с концентрацией в металлах, а также в растворах электролитов, даже весьма разбавленных. Благодаря этому внешнее электрическое поле проникает далеко в глубь полупроводника и у его поверхности образуется область пространственного заряда. Так, на германиевом электроде скачок потенциала со стороны раствора обусловлен в основном адсорбцией кислорода и включает две компоненты - дипольную и ионную. [1]
С ростом концентрации свободных носителей тока в полупроводниках заметную роль начинает играть плазменное ЭО, а в металлах оно является одним из основных эффектов в области А, доступной измерениям в растворах. Поскольку плазменное ЭО ( и вообще ЭО, обусловленное модуляцией оптических констант металла) почти всегда вносит вклад в ЭО металлических электродов, его следует рассмотреть детально. [2]
При слабом возбуждении, когда концентрации свободных носителей тока малы по сравнению с концентрациями связанных ( в основных состояниях), полные числа электронов и дырок в основных состояниях не должны меняться при возбуждении. Именно это перераспределение ответственно за активацию или повышение чувствительности фотосопротивления при добавлении локальных уровней, инфракрасное гашение и суперлинейность. [3]
Как будет показано ниже, изменения концентрации свободных носителей тока, вероятно, обусловливают новые каталитические свойства. Однако следует принимать во внимание и другие состояния электронного возбуждения, как, например, экситоны. Нужно отметить, что при облучении распределение электронов между всеми характеристическими уровнями энергии твердого тела не соответствует тепловому распределению, отвечающему статистике Ферми - Дирака. Кроме того, электронные нарушения, временные по своей природе, могут иногда обладать квазипостоянным характером по отношению к процессу захвата ловушками. [4]
 |
Теоретические ( линии и экспериментальные точки зависимости коэффициента размножения электронов в кремнии ап от обратного электрического поля при различных температурах. [5] |
Этот процесс носит лавинообразный характер и проявляется в резком увеличении концентрации свободных носителей тока. [6]
В соответствии с представлениями электронной теории катализа на полупроводниках [8] хемосорбция газов сопровождается изменением концентрации свободных носителей тока вблизи поверхности, которое обусловлено образованием заряженных форм связи адсорбированных молекул с поверхностью. Это изменение концентрации свободных носителей тока в адсорбентах-кристаллофосфорах может оказать влияние на кинетику послесвечения. [7]
В этих случаях диффузия фотоэлектронов в соседние участки вызывает в них усиленную рекомбинацию и снижение концентрации свободных носителей тока. Известны также случаи, когда освобожденные светом электроны путем вторичных процессов повышают концентацию свободных зарядов и когда число добавочных электронов превышает иногда во много раз число поглощенных фотонов. [8]
В этих случаях диффузия фотоэлектронов в соседние участки вызывает в них усиленную рекомбинацию и снижение концентрации свободных носителей тока. Известны также случаи, когда, наоборот, освобожденные светом электроны путем вторичных процессов повышают концентрацию свободных зарядов, и тогда число добавочных электронов превышает иногда во много раз число поглощенных фотонов. [9]
Основное отличие полупроводников от металлов заключается в том, что в них на много порядков величины меньше концентрация свободных носителей тока. Концентрация их может сильно изменяться под действием вводимых в полупроводник примесей. Уже еле уловимые при помощи химического анализа примеси, порядка 10 - 8 % и меньше, могут резко повышать концентрацию свободных носителей. В соответствии с двумя механизмами перемещения электронов под действием электрического поля, в полупроводнике различают два типа свободных носителей тока: электроны в зоне проводимости и дырки в валентной зоне. Дырка - это тот узел кристаллической решетки, в котором не хватает электрона; электрон может в него перескочить из соседнего узла; это эквивалентно тому, что дырка передвигается в направлении, обратном направлению перескока электрона. [10]
 |
Изменения концентрации Н2О2 при каталитическом ее разложении и работы выхода на катализаторе. № 2О3 в процессе его старения. [11] |
Наблюдаемое постепенное убывание каталитической активности образцов свидетельствует о том, что в процессе их рабр-ты, несомненно, происходит процесс старения полупроводниковых катализаторов, который, по-видимому, связан с изменением концентрации свободных носителей тока на его поверхности. [12]
Из электронной теории хемосорбции и катализа на полупроводниках [8], лежащей в основе механизма передачи энергии рекомбинации центрам свечения, следует, что процессы адсорбции радикалов, их рекомбинации и десорбции молекул, приводящие к люминесценции, связаны с изменением концентрации свободных носителей тока у поверхности фосфора. [13]
Из электронной теории хемосорбции и катализа а полупроводниках [8], лежащей в основе механизма передачи энергии рекомбинации центрам свечения, следует, что процессы адсорбции радикалов, их рекомбинации и десорбции молекул, приводящие к люминесценции, связаны с изменением концентрации свободных носителей тока у поверхности фосфора. [14]
В соответствии с представлениями электронной теории катализа на полупроводниках [8] хемосорбция газов сопровождается изменением концентрации свободных носителей тока вблизи поверхности, которое обусловлено образованием заряженных форм связи адсорбированных молекул с поверхностью. Это изменение концентрации свободных носителей тока в адсорбентах-кристаллофосфорах может оказать влияние на кинетику послесвечения. [15]
Страницы: 1 2 3