Концентрация - вакансия
Cтраница 3
 |
Генезис полосы проводимости нестехиометрических монокарбидов металлов IVa подгруппы. [31] |
С увеличением концентрации вакансий Wg локальность уровней сохраняется до тех пор, пока они удалены друг от друга на расстояние, по крайней мере большее периода решетки. В этих условиях с ростом WQ уменьшается число электронных уровней в Me-С - полосе и возрастает их число в Me-Ме - полосе. [32]
Они отличаются низкой концентрацией вакансий катионов и, следовательно, ограничивают скорость перемещения атомов металлических элементов к поверхности, а кислорода, азота, серы и других агрессивных элементов - из окружающей среды внутрь сплава. [33]
В любом случае концентрация вакансий не равна значению, которое определяется из условий теплового равновесия, что подтверждается величиной 70 35, определенной при измерении диффузии в зоне холодного конца образца. [34]
С повышением температуры концентрация вакансий возрастает. Количество вакансий при температуре, близкой к плавлению, может достигать 1 % по отношению к числу атомов в кристалле. [35]
 |
Виды точечных дефектов. вакансия ( а, замещенный атом ( 6 и внедренный атом ( с. [36] |
С повышением температуры концентрация вакансий возрастает, так как атомы, расположенные вблизи поверхности, могут выйти на поверхность кристалла, а их место займут атомы, находящиеся дальше от поверхности. [37]
С повышением температуры концентрация вакансий возрастает. Количество вакансий при температуре, близкой к плавлению, может достигать 1 % но отношению к числу атомов в кристалле. [38]
 |
Точечные лсфскты в кристаллической решетке. [39] |
С повышением температуры концентрация вакансий возрастает. Количество Вакансий при температуре, близкой к плавлению, может достигать 1 п по отношению к числу агомов в кристалле. [40]
С повышением температуры концентрация вакансий возрастает. Количество вакансий при температуре, близкой к плавлению, может достигать 1 % по отношению к числу атомов в кристалле. [41]
 |
Общий вид прибора с расплавленным щелочным металлом. [42] |
При определенной температуре концентрация вакансий в щелочном стекле остается постоянной. Направленное перемещение катионов вдоль электрического поля к омическому контакту вызывает движение вакансий в противоположном направлении. [43]
С повышением температуры концентрация вакансий возрастает. Количество вакансий при температуре, близкой к плавлению, может достигать 1 % по отношению к числу атомов в кристалле. [44]
Здесь с0 - концентрация вакансий эталонного состояния; N - концентрация возможных вакантных узлов. [45]
Страницы: 1 2 3 4