Cтраница 2
Металлографическим анализом сплавов, богатых Dy, установлено [5]: эвтектическое превращение при 1145 С, концентрация эвтектической точки 84 8 - 89 4 % ( ат. [16]
В работе [3] приведены следующие данные об эвтектических реакциях: образование эвтектики Си - YCu6 при 850 С, концентрация эвтектической точки 8 % ( ат. [17]
Диаграмма ( рис. 197) характеризуется монотектиче-ской реакцией вблизи ординаты и при температуре плавления чистого V и эвтектической при температуре 1495 С; концентрация эвтектической точки - - 9 2 % ( ат. Взаимная растворимость компонентов очень ограничена. [18]
Пределы растворимости для соединения CrsSi, определенные в работе [2], не согласуются с реакцией образования эвтектической смеси твердых растворов на основе Сг и соединения CrsSi; концентрация эвтектической точки 20 % ( ат. Приведенные на рис. 172 конгруэнтное плавление соединения Сг53) з и эвтектическая реакция образования смеси твердых растворов на основе CrsSi и Cr6Sis полностью гипотетичны, равновероятно и образование соединения Сг531з по перитектической реакции. Необходимо дальнейшее тщательное изучение системы Сг-Si металлографическим и термическим анализами. [19]
На диаграммах ( для ограниченного интервала концентраций), представленных в работах [1, 2], отмечена эвтектическая реакция образования смеси ( CeS Ce3S4) при температуре 2000 75 С; концентрация эвтектической точки - 53 5 % ( ат. [20]
Система была вновь изучена в работе [1 ] с помощью дифференциального термического анализа 25 сплавов. Концентрация эвтектической точки, поданным работы [1], составляет 73 % ( ат. Обнаружен гистерезис для температуры эвтектоидного превращения: 165 при нагревании и 152 5 С при охлаждении. На рис. 133 приведена температура, полученная при нагревании, она лучше характеризует условия равновесия. В работе [2] рентгеноструктурным анализом растворимость Cd в Т1 определена равной - 4 % ( ат. [21]
В работе [1] сообщается, что концентрация эвтектической точки 0 46 % ( ат. [22]
Диаграмма, представленная на рис. 134, взята из работы [1 ], в которой использовали методы термического, металлографического, рентгеноструктурного и химического анализов. Богатая Cd эвтектика образуется при 320 6 С; концентрация эвтектической точки 0 032 % ( ат. Взаимная растворимость U и Cd в твердом состоянии незначительна. Линия ликвидуса в интервале температур 473 - 600 С имеет ретроградный характер. Часть диаграммы, богатая U, детально не изучена, однако показано, что U - единственная стабильная твердая фаза выше перитектической температуры, а соединение UCdu - единственный интерметаллид, стабильный ниже этой температуры. [23]
Металлографический анализ [1 ] показал, что Таре образуется перитектически при температуре около 1400 С. Таре при - 1350 С образует эвтектическую смесь с твердым раствором па основе Та, концентрация эвтектической точки - 60 i ( ат. [24]
Если в качестве абсциссы служит эвтектическая горизонталь или горизонталь превращения, то отрезки, являющиеся ординатами соответствующих точек, откладывают вниз, если же абсциссой служит ось концентраций, то отрезки откладывают вверх. В обоих случаях получают треугольник, вершина которого в случае простой эвтектической смеси лежит на ординате концентрации эвтектической точки, а вершины углов у основания достигают концентраций чистых веществ ( см. рис. 215, стр. При наличии конгруэнтно плавящегося молекулярного соединения получают два таких треугольника, вершины которых лежат на ординатах концентраций обеих эвтектических точек, а вершины углов при основании каждого треугольника направлены к ординатам, которые соответствуют соста-цам молекулярного соединения и одного из чистых компонентов ( см. рис. 216, стр. В случае инконгруэнтно плавящегося соединения вершина одного треугольника лежит на ординате эвтектической точки, а вершины углов у основания на ординатах концентраций чистого вещества и молекулярного соединения; вершина другого треугольника лежит на ординате молекулярного соединения, а вершины углов при основании на ординатах, соответствующих переходной точке и другому компоненту ( см. рис. 217, стр. При системах, в которых образуются смешанные кристаллы, соответствующие диаграммам состояний типов I, II и III ( рис. 220, стр. В случае систем, образующих диаграммы состояния типа IV, остановка появляется между переходной точкой и конечной точкой разрыва взаимной растворимости, причем наибольшая продолжительность остановки соответствует началу разрыва взаимной растворимости. В системах, соответствующих диаграммам состояния типа V, максимальная продолжительность остановки соответствует составу эвтектики, но, в противоположность простой эвтектической системе, значение ее достигает нуля не при концентрации чистого компонента, а уже в конце разрыва взаимной растворимости; это является характерным отличием этой диаграммы от предыдущих. [25]
Температура конгруэнтного плавления Т1С эквиатомного состава 3150 С; при более высоком содержании С появляется эвтектика ( TiC-С), концентрация эвтектической точки - 58 % ( ат. [26]
Соединение Ег3Со образуется по перитектической реакции при температуре 900 С. При 800 С появляется эвтектическая смесь ( ЕгСо - Ег3Со); концентрация эвтектической точки 63 3 % ( ат. [27]
I, рис. 247) наличием фазы, образующейся перитектически при 196 С II распадающейся эвтектоидно при 126 С. Растворимость In в Cd в интервале температур 126 - 196 С составляет 1 4 % ( ат. По данным работы [1], эвтектическое превращение происходит при 127 7 С; концентрация эвтектической точки 74 3 % ( ат. Данные о растворимости Cd в In очень хорошо согласуются с результатами более ранних исследований. [28]
С помощью прецизионного термического анализа установлено эвтектическое превращение при температуре 1074 8 С; концентрация эвтектической точки 98 44 % ( ат. [29]
На диаграмму состояния наносят величины, пропорциональные исправленной продолжительности остановки из. Если в качестве абсциссы служит эвтектическая горизонталь или горизонталь превращения, то отрезки, являющиеся ординатами соответствующих точек, откладывают вниз, если же абсциссой служит ось концентраций, то отрезки откладывают вверх. В обоих случаях получают треугольник, вершина которого в случае простой эвтектической смеси лежит на ординате концентрации эвтектической точки, а вершины углов у основания достигают концентраций чистых веществ ( см. рис. 215, стр. При наличии конгруэнтно плавящегося молекулярного соединения получают два таких треугольника, вершины которых лежат на ординатах концентраций обеих эвтектических точек, а вершины углов при основании каждого треугольника направлены к ординатам, которые соответствуют составам молекулярного соединения и одного из чистых компонентов ( см. рис. 216, стр. В случае инконгруэнтно плавящегося соединения вершина одного треугольника лежит на ординате эвтектической точки, а вершины углов у основания на ординатах концентраций чистого вещества и молекулярного соединения; вершина другого треугольника лежит на ординате молекулярного соединения, а вершины углов при основании на ординатах, соответствующих переходной точке и другому компоненту ( см. рис. 217, стр. При системах, в которых образуются смешанные кристаллы, соответствующие диаграммам состояний типов I, II и III ( рис. 220, стр. В случае систем, образующих диаграммы состояния типа IV, остановка появляется между переходной точкой и конечной точкой разрыва взаимной растворимости, причем наибольшая продолжительность остановки соответствует началу разрыва взаимной растворимости. В системах, соответствующих диаграммам состояния типа V, максимальная продолжительность остановки соответствует составу эвтектики, но, в противоположность простой эвтектической системе, значение ее достигает нуля не при концентрации чистого компонента, а уже в конце разрыва взаимной растворимости; это является характерным отличием этой диаграммы от предыдущих. [30]