Концентрация - центр - рекомбинация
Cтраница 1
Концентрация центров рекомбинации изменяется примерно от Ю12 см 3 для наиболее тщательно очищенных кристаллов до Ш19 см-3 для полупроводников с большой шириной запрещенной зоны, где глубоко лежащие центры могут располагаться на малых расстояниях друг от друга без перекрытия волновых функций. Сечение захвата изменяется приблизительно от 10 - 12 смг для притягивающих заряженных центров до 10 - 20 см. и менее для отталкивающих заряженных центров. [1]
Поскольку мы исходим из предположения, что концентрация центров рекомбинации Nt мала, зарядом, аакапллвающямся на - этих центрах, можно пренебречь. [2]
Линейная рекомбинация наблюдается в тех случаях, когда концентрация центров рекомбинации ( например, дырок) велика и в первом приближении не зависит от освещения. [3]
 |
Кривые нарастания и спада фототока в случае линейной рекомбинации при импульсном освещении образца. [4] |
Квадратичная рекомбинация наблюдается в тех случаях, когда концентрация центров рекомбинации ( например, дырок) мала. [5]
Аналогично в легированном кристалле р-типа время жизни будет определяться концентрацией центров рекомбинации и вероятностью захвата электрона рекомбинационным центром. Следовательно, величины lA / V / Yp и / Ntyn имеют смысл времен жизни неосновных носителей заряда в легированных полупроводниках. [6]
Рек т конечно, т тем больше, чем меньше концентрация центров рекомбинации. [7]
Таким образом, время жизни в легированном полупроводнике n - типа определяется только концентрацией центров рекомбинации и вероятностью захвата дырки центром рекомбинации. [8]
Следовательно, чтобы удовлетворялось условие нейтральности, разность ( n nt) - ( p pt) Должна быть равна концентрации пустых центров рекомбинации при освещении. [9]
Время жизни может бить записано в форме (3.3) и ( 34), так как предположение о том, что концентрации свободных носителем малы по сравнению с концентрациями центров рекомбинации, означает, что чемновое заполнение центров рекомбинации существенно не изменяется при освещении. [10]
Смысл выбора этих двух частных случаев заключается в том, чтобы, используя выражения (3.67) и (3.70), показать, что время жизни электронов ( основных носителей) может определяться как концентрацией центров рекомбинации, так и концентрацией свободных носителей. В этих двух случаях предполагается малая концентрация световых носителей. При больших концентрациях световых носителей оказывается, что концентрация генерированных светом дырок, захваченных центрами рекомбинации, приблизительно равна концентрации генерированных светом свободных электронов и значительно больше темновой концентрации дырок на уровнях рекомбинации. [11]
 |
К выводу уравнения непрерывности. [12] |
При высокой концентрации свободных носителей, которая достигается при Т7 ( область IV), скорость ре - Комбинации перестает практически зависеть от концентрации носителей, а следовательно, от температуры, и определляется концентрацией центров рекомбинации. [13]
Из анализа уравнения (4.45) видно, что величина времени жизни электронно-дырочных пар не зависит от неравновесных концентраций, как этого и следовало ожидать при малом уровне инжекции, а зависит от равновесных концентраций электронов и дырок п0 и р значения которых определяются положением уровня Ферми. Величина т зависит также от типа и концентрации центров рекомбинации, а именно через величины тп и тро от концентрации N i и коэффициентов захвата уп и ур электронов и дырок на эти центры, а через пг и рг - от энергетического положения реком-бинационного уровня Et в запрещенной зоне. [14]
Из анализа уравнения (4.99) видно, что величина времени жизни электронно-дырочных пар не зависит от неравновесных концентраций, как этого и следовало ожидать при малом уровне инжекции, а зависит от равновесных концентраций электронов и дырок п0 и р0, значения которых определяются положением уровня Ферми. Величина т зависит также от типа и концентрации центров рекомбинации, а именно через величины т и тро от концентрации Nt и коэффициентов захвата уп и 7р электронов и дырок на эти центры, а через пг и рх - от энергетического положения рекомбинацион-ного уровня Е ( в запрещенной зоне. [15]
Страницы: 1 2