Концентрация - свободный электрон
Cтраница 4
Другая методика определения концентрации свободных электронов при различных напряжениях на затворе основана на измерениях осцилляции магнитосбпротивления Шубникова - де Гааза при умеренных полях в зависимости от Ус и напряженности магнитного поля. Экстраполяция к нулевому магнитному полю веерных диаграмм, показывающих положение уровней в зависимости от величины поля и напряжения на затворе, дает значение эффективного порогового напряжения, по крайней мере для случая, когда размытие краев зон несущественно. [46]
В кристаллах с малой концентрацией свободных электронов и дырок плазменное ЭО вносит относительно малый вклад в общий эффект, а основную роль играет эффект Франца-Келдыша. Этот эффект заключается в своеобразном размытии в электрическом поле порогов поглощения различного типа в электронном спектре поглощения полупроводника. [47]
Больцмана, п - концентрация свободных электронов ( пли равная ей концентрация положительных ионов), е - заряд йлектрона, Ti - температура положительных ионов, Т, - температура электронов, е0 - электрическая постоянная, Параметр D называют дебаевским радиусом экранирования. [48]
 |
Температурные зависимости концентрации свободных электронов в полупроводнике при различных концентрациях. [49] |
При дальнейшем увеличении температуры концентрация свободных электронов практически не увеличивается ( участок кривой между точками 2 и 3), так как все примеси уже ионизированы, а вероятность ионизации собственных атомов полупроводника еще ничтожно мала. Участок кривой, соответствующий постоянной концентрации носителей заряда, называют участком истощения примесей. [50]
Таким образом, как концентрация свободных электронов, так и удельная проводимость диэлектриков будут ничтожно малы. [51]
А и пв - концентрации свободных электронов в металлах Л и В соответственно; k и е - постоянная Больцмана и заряд электрона. [52]
Следовательно, в серебре концентрация свободных электронов равна концентрации атомов. [53]
Страницы: 1 2 3 4