Концентрация - собственный дефект
Cтраница 1
Концентрация собственных дефектов зависит также от плотности дислокаций ( см. гл. Наконец, важным средством создания дефектов в неравновесной концентрации является облучение кристаллов частицами и фотонами высоких энергий. [1]
Концентрация собственных дефектов определяет совершенство получаемых кристаллов. Поэтому кристаллы некоторых веществ выращивают из пара даже в тех случаях, когда их нетрудно расплавить. Причины этого рассматриваются ниже. [2]
Обычно концентрации собственных дефектов не настолько велики, чтобы использовать указанные уточнения. Однако такие же проблемы возникают в связи с растворимостью примесных атомов в междоузлиях и, вероятно, при достижении некоторого уровня концентраций такая обработка становится необходимой. [3]
В областях II и III концентрации собственных дефектов изменяются - концентрация Vpb увеличивается, a Vs уменьшается. Гораздо более определенным является противоположный эффект - влияние собственных дефектов на растворимость примеси. Некоторые особенности такого влияния видны уже из рис. XVI.1, откуда ясно, что растворимость примесного атома в заряженной форме резко изменяется в точке, где его концентрация становится больше концентрации преобладающих собственных дефектов. Дополнительные сведения дает расчет концентраций дефектов как функции ps2 ( или Рх2) ПРИ постоянной активности примесных атомов. [4]
Влияют ли примесные атомы на концентрацию собственных дефектов кристалла, и если да, то каким образом. [5]
Заметим, что в области V концентрации собственных дефектов в кристаллах с примесью и без нее одинаковы. [7]
Изменение активностей компонентов может вызывать изменение как концентраций собственных дефектов, так и положения уровня Ферми. Если оба этих фактора действуют в одном направлении, то общий эффект, обусловленный изменением парциальных давлений компонентов, усиливается. В противоположном случае преобладающую роль играет более сильный фактор. Следует ожидать, что ситуация первого типа имеет место в системе GaAs - f - Si: изменение, приводящее к возникновению кристалла n - типа, способствует размещению кремния в таких положениях, где он действует как акцептор ( SiAS) - Вместе с тем изменение, сопровождающееся возникновением вакансий мышьяка и подавлением вакансий галлия, также будет благоприятствовать размещению кремния в узлах мышьяка. Поэтому оба эффекта должны усиливать друг друга. [8]
Наряду с влиянием ионизированных примесных дефектов на концентрацию собственных дефектов наблюдается обратный эффект. [9]
На основании имеющихся данных можно считать, что концентрации собственных дефектов при высокой температуре близки к равновесным, особенно в порошкообразных люминофорах ( см. гл. Однако в процессе охлаждения кристаллов диффузия дефектов быстро замедляется, и в охлажденном образце концентрация их всегда значительно выше той, которая отвечает комнатной температуре. Отсюда ясно, что она зависит от скорости охлаждения, изменяя которую можно проследить за влиянием собственных дефектов на люминесценцию и другие структурно-чувствительные свойства кристаллов. При этом, конечно, нужно учитывать и те связанные с примесями и интеркристаллическими реакциями явления, которые будут рассмотрены в последующих главах. [10]
 |
Схематическое изображение температурной зависимости удельной проводимости кристаллического диэлектрика. [11] |
Верхним пределом низких температур для данного соединения следует считать температуру, при которой концентрация собственных дефектов равна концентрации примесей. [12]
Когда примесные атомы создают заряженные центры, их концентрации входят в условие нейтральности и поэтому могут оказывать влияние на концентрацию заряженных собственных дефектов кристалла. Грубо говоря, общий эффект от присутствия примесных атомов двух разных типов представляет собой алгебраическую сумму эффектов для примесных атомов каждого типа. При одинаковых зарядах примесных центров ( например, если оба они являются либо донорами, либо акцепторами) эффекты складываются; при противоположных зарядах ( одна примесь - донор а другая - акцептор) эффекты вычитаются; если суммарный заряд равен нулю, то эффект отсутствует. [13]
Если ассоциаты заряжены, то они так же, как и простые заряженные примесные дефекты, могут оказывать влияние на концентрации собственных дефектов, поскольку их концентрации входят в уравнение нейтральности. В настоящей книге более подробно эти вопросы не рассматриваются. [15]
Страницы: 1 2