Максимально возможная концентрация - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
"Я люблю путешествовать, посещать новые города, страны, знакомиться с новыми людьми."Чингисхан (Р. Асприн) Законы Мерфи (еще...)

Максимально возможная концентрация

Cтраница 2


Разность между абсциссой точки 4 ( максимально возможная концентрация продукта D) и точки / ( максимально возможная концентрация продукта В) численно равна концентрации продукта В в условиях открытой системы полного смешения.  [16]

Переработка топливных элементов обычно проводится при максимально возможной концентрации солей. За счет выпаривания до начала выпадения осадка обычно достигается двойное концентрирование. Извлечение цезия осаждением в виде квасцов или ферроцианида хотя и возможно, но мало эффективно и практически не снижает общий уровень активности остаточного концентрата продуктов деления - Извлечение стронция и. В - специальных случаях можно отделить соль-разбавитель методом экстракции, как например при извлечении тория, но это экономически невыгодно. Для уменьшения количества разбавляющих солей может быть применена фракционная кристаллизация, но для этого требуется дополнительное усложнение оборудования, что обычно не окупается.  [17]

Но необходимо стремиться к работе на растворах максимально возможных концентраций. Это видно из следующих соображений.  [18]

19 Маркировка средств защиты р к. [19]

Указанные концентрации кислот и щелочей являются относительными величинами от максимально возможных концентраций этих веществ.  [20]

21 Спектр рентгеновского излучения из смеси. [21]

Как уже отмечалось, поток рентгеновского излучения ограничивается сверху максимально возможной концентрацией р-излучателя в источнике.  [22]

Исключительно высокие требования предъявляются к изобу-тилену - он должен быть максимально возможной концентрации я чистоты.  [23]

При условии, что Еф - Ес величина Nc определяет максимально возможную концентрацию плектронов в невырожденном полупроводнике. Поскольку По / Лс - отношение равновесной концентрации электронов к максимально возможной, экспоненциальный множитель в ( 9 - 50) имеет смысл вероятности нахождения свободных электронов в зоне проводимости.  [24]

Из ( 1 - 7а) следует, что Nc есть максимально возможная концентрация электронов в невырожденном полупроводнике, получающаяся при условии ф /; - фс. По физическому смыслу величина Nc близка к плотности энергетических уровней в зоне проводимости ( на 1 см3) в полосе энергий от фс до фс фг что можно подтвердить интегрированием функции ( 1 - 2а) в соответствующих пределах.  [25]

Указанные в таблице концентрации кислот и щелочей являются относительными величинами от максимально возможных концентраций этих веществ.  [26]

27 Распределение скорости сплошной фазы по. [27]

Наибольшее воздействие твердой фазы на поток сплошной среды имеет место при максимально возможных концентрациях твердой. Значительное влияние мелкодисперсной фазы на поток сплошной вязкой среды может приводить к практически полному выравниванию эпюры скорости сплошной фазы по поперечному сечению слоя. Лишь в непосредственной близости от стенки, на расстоянии, приблизительно равном размеру частиц, концентрация дисперсной фазы оказывается меньше, чем в основном объеме слоя, что приводит к локальному повышению скорости фильтрующейся среды в пределах этого пристенного тонкого слоя. Когда поперечный размер аппарата значительно превышает эквивалентный диаметр частиц, пристенным эффектом можно пренебречь и полагать скорости сплошной фазы по всему поперечному сечению аппарата одинаковыми.  [28]

Проблема получения сильнолегированных полупроводников, особенно полупроводников re - типа, с максимально возможной концентрацией основных носителей представляет существенный интерес. В работе [1] показано, что предельная концентрация электронов в антимониде индия, легированном теллуром, зависит от состава кристалла и в монокристаллах, выращенных из расплавов, состав которых находится на квазибинарном разрезе InSb - InTe, она выше, чем в кристаллах, выращенных из расплавов, состав которых лежит на разрезе InSb-Те. Высказано предположение, что при выращивании монокристаллов твердого раствора на основе антимонида индия из расплавов, составы которых лежат на разрезе InSb-InTe, теллур встраивается в антимонид индия в виде изоструктурных индий-теллуровых комплексов.  [29]

В большинстве случаев абсорбции газов желательно получить раствор их в поглощающей жидкости, соответствующей максимально возможной концентрации.  [30]



Страницы:      1    2    3    4