Повышенная концентрация - носитель
Cтраница 1
Повышенная концентрация носителей, свойственная высокому уровню инжекции, влияет не только на коэффициент инжекции ( см. предыдущий раздел), но и на полное сопротивление базы гб. [1]
 |
Включение р-канального МОП-транзистора ( о и схема ( б для снятия его передаточной характеристики ( в. [2] |
Знак означает повышенную концентрацию носителей. Чем запас носителей больше, тем больше может быть плотность тока в канале и тем значительнее крутизна полевого транзистора. [3]
В случае несимметричных переходов область с повышенной концентрацией носителей зарядов называют эмиттером, а область с уменьшенной концентрацией - базой. Процесс перехода основных носителей зарядов через ослабленный внешним полем барьер называют инжек-цией носителей зарядов. Следует иметь в виду, что инжектированные носители зарядов становятся после прохождения барьера неосновными. Так, если в полупроводнике типа п электроны являются основными носителями зарядов, то, проникая через электронно-дырочный переход в полупроводник типа р, они становятся неосновными носителями. [4]
В этом случае на одной грани окажется повышенная концентрация носителей, и рекомбинация будет преобладать над диссоциацией, что сопровождается выделением тепла. На противоположной грани концентрация носителей понижается, и диссоциация будет преобладать над рекомбинацией, что вызовет поглощение тепла. [5]
За счет этого в полупроводнике можно создавать слой с повышенной концентрацией носителей зарядов - канал, сопротивлением которого можно управлять, изменяя напряжение на изолированном электроде. [6]
При попадании ядерной частицы в кристалл в узкой локальной области наблюдается повышенная концентрация носителей тока; в этой области ток возрастает пропорционально их концентрации. Локализация повышенной концентрации носителей тока не может быть длительной, поэтому с течением времени концентрация выравнивается по всему кристаллу. Перенос носителей тока в направлении выравнивания их концентрации и называют сквозным током. Очевидно, если сквозной ток установился, то длительность его протекания будет определяться временем жизни освобожденных носителей тока. [7]
С целью получения локальных областей для элементов микросхемы формируют разделительные области р - типа - области дырочной проводимости с повышенной концентрацией носителей. Создание элементов в полупроводниковом материале требует наличия р-и-переходов - границы между областями с электронной ( я-типа) и дырочной ( - типа) проводимостью. [8]
 |
Иллюстрация механизма работы тиристора. [9] |
Вследствие того, что в этом состоянии все р - - переходы включены в прямом направлении и в базах наблюдается повышенная концентрация носителей заряда, сопротивление тиристора мало и составляет от нескольких долей до единиц ома. [10]
 |
Построение вольт-амперной характеристики тиристора. [11] |
Вследствие того что в этом состоянии все p - n - переходы включены в прямом направлении и в базах наблюдается повышенная концентрация носителей заряда, сопротивление тиристора мало и составляет от нескольких долей до единиц ома. [12]
Если процесс генерации неравновесных носителей заряда происходит не во всем объеме, а только в какой-то части полупроводника, то там образуется локальная область с повышенной концентрацией носителей заряда, что вызывает появление диффузионного тока. [13]
При одновременном введении в полупроводник донорных и акцепторных примесей характер проводимости ( п - или р-тип) будет зависеть от того, какие из примесей создают повышенную концентрацию носителей заряда. [14]
 |
Вольт-амперные характеристики кремниевого стабилитрона. полная ( а и рабочая ( б. [15] |
Страницы: 1 2 3