Избыточная концентрация - дырка
Cтраница 1
Избыточные концентрации дырок и электронов для этого случая показаны на фиг. [1]
Очень скоро избыточная концентрация дырок у эмиттерного перехода становится равной нулю и он запирается. Теперь более длительное рассасывание остаточного заряда происходит через коллекторный переход. Так как на рассматриваемом этапе в базе имеется еще значительное количество носителей - дырок, положительное напряжение ыби обусловливает ток, которым разряжается конденсатор С. Этот ток втекает в базу, проходит через коллекторную цепь и зачастую имеет значительную величину. После того как накопившиеся в базе дырки рассосутся, избыточная концентрация их у коллекторного перехода станет равной нулю, он запрется и ток через транзистор прекратится. [2]
Распределение избыточной концентрации дырок в базе транзистора показано на фиг. [3]
Затем эта избыточная концентрация дырок начинает уменьшаться: часть их уходит в р-область IKWIV-проводника, часть рекомбинирует. [4]
Наличие этой избыточной концентрации дырок в области перехода приводит к диффузии дырок в глубь п-области. [5]
В момент ( г избыточная концентрация дырок у перехода П1 также уменьшается до нуля, вблизи перехода начинается образование ОПЗ, практически все обратное напряжение прикладывается к этому переходу и обратный ток уменьшается до значения обратного тока утечки. Заряд избыточных дырок Qp в / t - базе к моменту / 2 изменяется незначительно. Так как р-база легирована у тиристоров много больше, чем n - база ( см. рис. 3.5, а), то коэффициент инжекции этого перехода также равен 1, т.е. / Я20 и / Pi / p2; значит, сколько дырок уходит через П1, столько же их входит через П2 и заряд Qp за счет обратного тока практически не уменьшается. Поэтому время выключения тиристора выкл обычно много больше времени восстановления обратной запирающей способности / ос. [6]
 |
Изменение избыточной концентрации во времени [ IMAGE ] - 15. Изменение избыточной концентрации в пространстве. [7] |
Все сказанное относится также и к избыточной концентрации дырок, но для нее значения тр и Lp получаются иными, нежели для электронной концентрации. [8]
 |
Температурная зависимость прямой характеристики реального. [9] |
С ростом прямого тока и напряжения уровень инжекции повышается, растут избыточные концентрации дырок и компенсирующих электронов и процессы в базе существенно изменяются. [10]
Однако эта рекомбинация происходит не мгновенно, и поэтому в п-области окажется избыточная концентрация дырок пд, а в р-области - избыточная концентрация электронов пэ. При этом избыточные дырки в n - области будут притягивать к себе электроны, так что увеличится и концентрация электронов; объемный заряд, как и в отсутствие тока, не образуется. [11]
Стационарный ток 1Т существует в течение времени tr до тех пор, пока избыточная концентрация дырок р ( р рп - р не станет у перехода равной нулю. [12]
Пусть в полупроводник n - типа с равновесными концентрациями о и ро введены избыточная концентрация неравновесных дырок Др и электронов Ал, тогда полная концентрация дырок и электронов рро4 - Др и л 0 Дп. Допустим, что избыточные дырки и электроны введены в равном количестве: Др Дл. [13]
Допустим, что в некотором объеме образца создана ( например, инжекцией), избыточная концентрация дырок Др. Вследствие максвелловой релаксации в этом объеме должны появиться избыточные электроны в концентрации An, равной Ар. [14]
Величина Lp уОрт: р, называемая длиной диффузионного смещения, есть характеристическое расстояние, на котором избыточная концентрация дырок уменьшается в е раз. Диффузионная длина Lp ( или Ln для электронов в материале р-типа) является мерой того, как далеко могут продиффунди-ровать дырки до рекомбинации с электронами. [15]
Страницы: 1 2