Cтраница 2
Оба типа упорядоченности возможны только при определенных атомных концентрациях. Отсюда следует, что степень порядка должна убывать при отклонении от этой концентрации. Следует также указать, что свойства, чувствительные к неупорядоченности ( ( электропроводность, прозрачность и другие), имеют максимальное или минимальное значение вблизи этого состава. [16]
Пусть атомная концентрация В обозначена х, атомная концентрация А обозначена ХА ( 1 - : гв) где. [17]
В этих формулах СА и v обозначают относительную атомную концентрацию атомов А и степень дальнего порядка только на узлах, лежащих в центрах кубических ячеек. [18]
Анализируемые образцы и стандартные растворы должны иметь одинаковую атомную концентрацию лития, поскольку поглощение в пламени зависит не только от изотопного состава лития, но и от общей концентрации атомов лития рис. в пламени. Поэтому в установке было предусмотрено дополнительное устройство для эмиссионного определения концентрации лития в растворе. [19]
Пусть за начальный принят атом компонента А и атомная концентрация компонента В в твердом растворе равна св. [20]
Под относительной концентрацией германия ( олова) понимается отношение атомных концентраций в газовой фазе германия ( олова) и хлора. [21]
Им обнаружено, что это отношение не равно отношению атомных концентраций водорода и дейтерия, причем оно различно, в зависимости от того, какое соединение водорода присутствует в смеси. [22]
Таким образом, имеем, что твердость должна изменяться пропорционально атомной концентрации элемента. Как эмпирически показали Боттон ( Bottone), Тернер ( Turner) и Бенедикс ( Benedicks), в аморфных элементах мы действительно имеем указанное соотношение, как это видно на фиг, 1, где по оси абсцисс отложен атомный вес, по оси ординат непрерывной линией-атомная концентрация и пунктиром - твердость. [23]
Верхняя кривая характеризует температурную зависимость растворимости Ag при избытке S в атомных концентрациях ( левая ордината) ив мол. Нижняя кривая показывает температурную зависимость коэффициента сегрегации Ag в системе CdS-Cd в мол. Коэффициент сегрегации в данном случае определяется как отношение мол. [24]
Соединения III-V получают главным образом из расплава, содержащего элементы в равных атомных концентрациях ( стехиометрического расплава), из раствора соединения в избытке элемента III группы, из газообразной фазы и в результате химических реакций. Последними двумя методами получаются, вообще говоря, только маленькие кристаллы. Все антимониды, а также арсениды галлия и индия получают обычно из стехио-метрических расплавов. Антимониды можно получать, применяя аппаратуру, используемую при получении германия. Некоторой очистки можно добиться с помощью горизонтальной зонной плавки, а монокристаллы можно получить либо вертикальным вытягиванием из расплава, либо горизонтальным выращиванием по методу Бриджмена, при котором расплавленный материал помещается в длинный тигель, называемый обычно лодочкой, и подвергается направленному затвердеванию, проходя через сильный температурный градиент. Для получения арсенидов необходим еще нагреватель для контроля за давлением паров. При зонной очистке распределение температуры должно быть таким, как показано на фиг. Давление, необходимое для получения фосфидов из стехиометрических расплавов, довольно велико, поэтому обычно предпочитают пользоваться методом выращивания из раствора. Этот метод был развит Вольфом, Кеком и Бродером [35], которые изготовили InP из смеси индия и 10 ат. [25]
Поскольку содержание серы в шлаке, как правило, невелико, постольку весовые и атомные концентрации ее прямо пропорциональны друг другу. [26]
В табл. 6 приводятся отношения максимальных величин отклонений от аддитивности плотности и атомной концентрации. [27]
Экспериментальные данные ( отмеченные крестиками) показывают линейную зависимость скорости ультразвука от атомной концентрации компонентов в сплавах кадмий - олово, висмут - свинец и нелинейную во всех остальных. [28]
Полупроводниковые соединения получают разными способами: из расплава, содержащего элементы Б равных атомных концентрациях ( стехиометрического расплава); из раствора соединения элемента III группы, содержащегося в избытке, из газообразной фазы и в результате химических реакций. Последними двумя методами получают небольшие кристаллы. Все антимониды, арсениды галлия и индия получают обычно из стехиометрических расплавов. [29]
Полупроводниковые соединения получают разными способами: из расплава, содержащего элементы в равных атомных концентрациях ( стехиометрического расплава); из раствора соединения элемента III группы, содержащегося в избытке, из газообразной фазы и в результате химических реакций. Последними двумя методами получают небольшие кристаллы. Все антимониды, арсениды галлия и индия получают обычно из стехиометрических расплавов. [30]