Равновесная концентрация - носитель - заряд
Cтраница 2
Первое слагаемое в правой части уравнения ( 1 - 25) представляет собой скорость рекомбинации и зависит от мгновенного значения избыточной концентрации носителей заряда, а второе - скорость генерации носителей заряда того же знака, которая зависит от равновесной концентрации носителей заряда и является постоянной величиной. Величина т является результирующим временем жизни избыточных носителей, одинаковым для электронов и дырок и близким к времени жизни неосновных носителей. С постоянной времени, примерно равной времени жизни неосновных носителей, происходит и спад избыточных концентраций. [16]
Интегральная чувствительность фоторезисторов довольно резко увеличивается с уменьшением температуры, так как возрастает величина фототока. Это происходит в результате уменьшения равновесной концентрации носителей заряда ( электронов и дырок) и вероятности рекомбинации избыточных носителей, возникающих при освещении. Поэтому в условиях эксплуатации, когда необходимо повысить чувствительность, часто применяют охлаждение фоторезисторов. [17]
Удельная интегральная чувствительность фоторезисторов в значительной степени зависит от температуры окружающей среды, увеличиваясь с уменьшением температуры. Происходит это в результате уменьшения равновесной концентрации носителей заряда ( электронов и дырок) и увеличения времени жизни неравновесных носителей, возникающих при освещении. Поэтому при уменьшении температуры возрастает величина фототока и соответственно величина удельной интегральной чувствительности. Когда необходимо повысить чувствительность, часто применяют охлаждение фоторезисторов. [18]
 |
Перемещение носителей за - V uS. [19] |
Под слабыми будем понимать такие, которые не изменяют равновесную концентрацию носителей заряда, а лишь несколько меняют их функцию распределения. [20]
Интегральная чувствительность фоторезистора сильно зависит от температуры. При увеличении температуры интегральная чувствительность резко снижается, так как увеличивается равновесная концентрация носителей заряда и вероятность рекомбинации избыточных носителей, возникающих при освещении, что приводит к уменьшению фототока. [21]
 |
Плоские модели кристаллических решеток полупроводников. [22] |
Возникшие в полупроводнике носители зарядов совершают в течение некоторого времени тепловое движение ( или направленное движение под действием внешнего электрического поля), а затем, потеряв избыток энергии, электрон рекомбинирует с одной из дырок, входя в ковалентную связь. Число электронов и дырок в 1 см3 объема полупроводника при неизменной температуре определяется термодинамическим равновесием между процессами термогенерации и рекомбинации носителей зарядов и называется равновесной концентрацией носителей заряда. [23]
Знак температурного коэффициента фототока у фоторезисторов отрицательный. С увеличением освещенности значение температурного коэффициента фототока уменьшается. Температурный коэффициент темпового тока имеет положительный знак в связи с ростом равновесной концентрации носителей заряда при увеличении температуры. [24]
Страницы: 1 2