Концентрирование - солнечное излучение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Параноики тоже люди, и у них свои проблемы. Легко критиковать, но если бы все вокруг тебя ненавидели, ты бы тоже стал параноиком. Законы Мерфи (еще...)

Концентрирование - солнечное излучение

Cтраница 1


Концентрирование солнечного излучения представляет собой частный случай лучистого переноса в системе тел, разделенных диа-термичной средой. Задачи теоретического исследования систем КСИ связаны главным образом с расчетом их энергетических характеристик, чем определяется и выбор метода описания процесса переноса излучения в этих системах.  [1]

При концентрировании солнечного излучения не только повышается его плотность, но и изменяется распределение в пространстве, а следовательно, и на лучевоспринимающих поверхностях элементов преобразователя. Это распределение является основной энергетической характеристикой концентрирующей системы.  [2]

3 Схема распространения излучения в односекционных плоских концентраторах. [3]

В общем случае концентрирование солнечного излучения в одно-секционных плоских системах может осуществляться в результате его многократного отражения от зеркальных поверхностей, что позволяет достичь более высоких значений Кс, чем при однократном отражении.  [4]

Переходя к вопросу о классификации систем концентрирования солнечного излучения ( КСИ), прежде всего следует отметить, что они относятся к классу оптических систем, но по назначению принципиально отличаются от оптико-информационных систем этого класса, которые служат для получения качественного изображения наблюдаемых объектов. По функционально-целевому признаку системы КСИ могут быть определены как оптико-энергетические системы, предназначенные в общем случае для повышения плотности потока лучистой энергии при его одновременном пространственном и спектральном перераспределении. Этим в значительной мере обусловлено и различие требований к характеристикам систем КСИ и оптико-информационных систем.  [5]

Модели этой группы позволяют выявить предельные возможности концентрирования солнечного излучения отражателями различной конфигурации без учета и с учетом конечного углового размера солнечного диска и установить относительное влияние параметров излучателя и глобальной геометрии концентратора на результир. Если же предполагается, что / 0 ( ср) 1, то в определенной степени уже учитывается оптическая неидеальность зеркала и связанное с этим снижение его предельной концентрирующей способности.  [6]

Модель ЭГЭ представляет собой совокупность моделей процессов концентрирования солнечного излучения, фотоэлектрического преобразования, отвода тепла и защиты СЭ от космической радиации, а также условий сопряжения этих моделей в форме уравнений энергетического баланса, геометрических и других соотношений.  [7]

Разработка таких моделей и методов является предметом прикладной теории концентрирования солнечного излучения, развитие которой направлено на решение следующих задач: 1) обоснование общих принципов формализованного описания процессов лучистого переноса в системах КСИ и разработка обобщенной математической модели концентрирования солнечного излучения в реальных гелиотехнических системах ( постановка задачи концентрирования в общем виде); 2) классификация и систематизация частных моделей концентрирования и обоснование рациональных областей их применения; 3) разработка методов расчета систем КСИ, необходимых для анализа характеристик и синтеза этих систем.  [8]

Все это дает основание ориентироваться преимущественно на фотометрический подход к описанию процесса концентрирования солнечного излучения.  [9]

Сочетание фундаментальности и практической направленности изложения характерно и для четвертой главы книги, посвященной вопросам концентрирования солнечного излучения. Здесь на основе представлений теоретической фотометрии в наиболее общем виде описан процесс переноса и распределения лучистой энергии в концентрирующих системах и классифицированы все известные математические модели процесса концентрирования солнечного излучения.  [10]

11 Экспериментальные зависимости концентрации дырок в pGaAs ( 1, 2, 5 - 7 и А10 Ga0 3As ( 3, 4 от концентрации Zn ( 2, 4 - 7 и Be ( 1, 3 в источнике при температурах диффузии 840 ( 1 - 4, 680 ( 5, 600 ( б, 520 С ( 7. [11]

Дополнительным преимуществом таких СЭ является их улучшенная термостабильность [145, 147], что делает данный тип СЭ перспективным для использования в системах с концентрированием солнечного излучения.  [12]

13 РеГечетные ( 1 - 3 и экспериментальные ( 4 - 6 зависимости фактора заполнения нагрузочной характеристики СЭ на основе GaAs от плотности фототока и Кс при различных величинах инжекционного ( i01 и рекомбинационного. [13]

В первой главе было показано, что фактор заполнения нагрузочной характеристики увеличивается с уменьшением фактора идеальности ВАХ и обратного тока насыщения и с увеличением степени концентрирования солнечного излучения.  [14]

Увеличение отклонения экспериментальной зависимости 4 от расчетных кривых 2, 3 при Кс 102 связано, по-видимому, с увеличением равновесной температуры СЭ при повышенных степенях концентрирования солнечного излучения.  [15]



Страницы:      1    2    3