Cтраница 1
Координаты границ легко выразить в виде функции констант равновесия соответствующих процессов. Оно характеризует поведение данного кристалла как полупроводника и здесь не рассматривается. Таким образом, использованный метод анализа полного равновесия применим и для частичного, при условии четкого различия между замораживаемыми и незамораживаемыми процессами. [1]
Координаты границы застойной зоны получим, интегрируя выражение (4.8) по а от Ъ до оо. [2]
![]() |
Простейшая схема эмиттериого повторителя.| Схема резистивно-транзисторного элемента ( РТЛ.| РТЛ элементы. [3] |
Второй координатой границы отсечки является УВХ. Увеличение числа входов М приводит к обратному эффекту. Все остальные факторы, кроме / кд в случае германиевых транзисторов, оказывают меньшее влияние. [4]
К - координата границы пласта; / 0 - условная стандартная площадь, обычно применяется при 0 0; рн - начальное давление в пласте; F0 - объем пласта. [5]
Соответствующие выражения для координат границы застойной зоны могут быть найдены интегрированием по а выражения (4.8) и полученных из него упрощенных представлений раздела 3 данного параграфа. [6]
После этого процесс уточнения координат границ каверны должен быть продолжен. В случае обтекания тела с острыми кромками кривизна каверны в точках схода стремится к бесконечности. Это обстоятельство необходимо учитывать при выборе аппроксимации формы границы каверны вблизи точки схода. [7]
Эти точки исключаются, и координаты границ регулирования пересчитывают. [8]
Это объясняется тем, что координаты границ зоны рассеивания отклонений размеров, формы, взаимного расположения поверхностей в рабочих чертежах деталей указываются в виде границ полей допусков. [9]
Согласно (7.4.18) получим, заменяя обозначение координаты границы раздела s переменным радиусом г ( фиг. [10]
Физически это означает, что на координате оптической границы происходит резкое снижение эффективной локальной вязкости, уменьшение физических узлов в сетке, ее жесткости и плотности упаковки, а следовательно, увеличение пор в материале сополимера, что приводит к скачкообразному увеличению проницаемости среды. [11]
При заполнении табл. 13.1, если значения координат границ получаются больше 2L, их следует положить равными 2L, а если они отрицательные, принять равными нулю. В каждый из моментов времени ti разбиваем пространство в трубах и кольцевом канале на участки / k, вдоль которых не изменяются диаметры, углы наклона участков к оси г, свойства жидкостей. Участки, содержащие наиболее склонные к поглощениям пласты, разбиваются на более мелкие, разделенные координатами этих пластов. [12]
Поэтому можно предположить, что именно на координате оптической границы происходит наиболее интенсивное увеличение пор в сополимере. [13]
Ло р с ( О) - лагранжева координата границы продуктов взрыва. [14]
Координаты центра тяжести можно определять как среднее квадратичное координат границ блока для блоков, близких к вершине сектора, и по приближению-как среднее арифметическое для блоков удаленных. [15]