Cтраница 1
Двухтактный каскад мощного усиления с общим эмиттером, допускающий крепление на общем радиаторе или шасси без изолирующей прокладки. [1] |
Корпус мощных транзисторов соединен с коллектором:, а поэтому при использовании для охлаждения транзистора металлического шасси усилителя, соединенного с общим проводом схемы, а также при установке на один общий радиатор обоих транзисторов двухтактного каскада их корпус элек -, трически изолируют от теплоотвода, крепя транзисторы на радиатор через слюдяную прокладку толщиной 0 03 -: - 0 05 мм. [2]
Корпус мощных транзисторов соединен с коллектором, а поэтому при использовании для охлаждения транзистора металлического шасси усилителя, соединенного с общим проводом схемы, а также при установке на один общий радиатор обоих транзистороз двухтактного каскада их корпус электрически изолируют от теплоотвода, крепя транзисторы на радиатор через слюдяную прокладку толщиной 0 03 - - 0 05 мм. [3]
Как уже говорилось, корпус мощного транзистора часто приходится изолировать от внешнего радиатора с помощью специальных прокладок. Надо отметить, что применение любых изолирующих прокладок существенно увеличивает тепловое сопротивление. Поэтому конструкции транзисторов, в которых эмиттер соединен с корпусом, представляют значительный интерес. [4]
К конструкции выводов и корпуса мощного транзистора предъявляется ряд специфичных требований, вызванных необходимостью снижения индуктивностей выводов и улучшения условий теплоотдачи. [5]
Конструктивно-технологические разновидности транзисторов. [6] |
При необходимости электрически изолировать корпус мощного транзистора от шасси ( с корпусом транзистора обычно бывает соединен коллектор) следует изолировать радиатор от шасси, а не транзистор от радиатора. [7]
Для обеспечения теплоотвода от корпусов мощных транзисторов выходного каскада каждый из них следует лрикрепить к изолированной медной пластине площадью 50 - 70 см2 и толщиной 3 - 5 мм. [8]
Корпус типа ТО-3. [9] |
Выпускаемые в настоящее время мощные транзисторы имеют самое разнообразное конструктивное оформление. Число типов корпусов мощных транзисторов приближается к двумстам. [10]
К конструкции корпусов мощных высокочастотных транзисторов предъявляются три основных требования. Первое из них является общим для конструкции корпуса любого мощного транзистора, а два других являются специфичными. [12]
Схемы интегральных регуляторов напряжения типов. [13] |
Регулятор типа Я120М1 также имеет дополнительный вывод Д, так как он работает по схеме рис. 63.2, е, а также вывод Р для подключения переключателя посезонной регулировки. Примером регулятора напряжения с ШИМ является регулятор типа Я212А11Е, который аналогичен регулятору типа FL14U4C фирмы Bosch. Он изготовляется по гибридной технологии в металлостеклянном корпусе, схожем по конфигурации с корпусом мощного транзистора. [14]
Установка режима АВ с помощью одного источника напряжения.| Задание начального смещения с помощью диодов.| Задание начального смещения с помощью транзисторов. [15] |