Параллельная высокочастотная коррекция
Cтраница 2
Поэтому высокочастотная коррекция цепочкой CaRa в транзисторном каскаде по выигрышу в площади усиления оказывается примерно эквивалентной параллельной высокочастотной коррекции в ламповом каскаде и дает возможность получить большее значение площади усиления транзисторного каскада, чем при параллельной высокочастотной коррекции индуктивностью. [16]
 |
Зависимость X и YMaKC. [17] |
Из таблиц решений операторных уравнений найдем, что оригинал этого изображения, представляющий собой уравнение переходной характеристики в области малых времен реостатного каскада с параллельной высокочастотной коррекцией имеет в зависимости от величины а три значения. [18]
Из таблиц решений операторных уравнений найдем, что оригинал этого изображения, представляющий собой уравнение переходной характеристики в области малых Времен реОСТЗТНО - го каскада с параллельной высокочастотной коррекцией имеет в зависимости от величины а три значения. [19]
На рис. 7.5 в приведены зависимости нормированного времени установления %, максимального подъема частотной характеристики утах и выброса б от коэффициента коррекции а для резистор-ного каскада с параллельной высокочастотной коррекцией индуктивностью. [21]
 |
Параллельная высокочастотная коррекция индуктивностью. [22] |
Наиболее употребительной схемой высокочастотной коррекции для широкополосных резисторных каскадов, позволяющей расширить полосу пропускания каскада ли получить по дъем частотной характеристики в области верхних частот, является схема параллельной высокочастотной коррекции индуктивностью, которую в соответствии с установившейся терминологией будем называть схемой простой высокочастотной коррекции. [23]
Поэтому высокочастотная коррекция цепочкой CaRa в транзисторном каскаде по выигрышу в площади усиления оказывается примерно эквивалентной параллельной высокочастотной коррекции в ламповом каскаде и дает возможность получить большее значение площади усиления транзисторного каскада, чем при параллельной высокочастотной коррекции индуктивностью. [24]
Со, можно сильно расширить полосу усиливаемых каскадом частот и даже получить подъем частотной характеристики на верхних частотах. В транзисторном усилителе параллельная высокочастотная коррекция действует точно так же; здесь емкость С0 практически равна входной динамической емкости транзистора следующего каскада. [25]
Выбрав La так, чтобы резонанс имел место там, где частотная характеристика реостатного каскада падает из-за влияния С0, можно сильно расширить полосу усиливаемых каскадом частот и даже получить подъем частотной характеристики на верхних частотах. В транзисторном усилителе параллельная высокочастотная коррекция действует точно так же; здесь емкость Со образуется выходной емкостью транзистора рассчитываемого каскада н входной динамической емкостью следующего. [26]
 |
Нормированные частотные характеристики разнополосной пары каскадов с простой высокочастотной коррекцией при а - 1 12. а20 27. тв1 0 394 в2. [27] |
Задача определения оптимальных соотношений параметров высокочастотной коррекции взаимно корректируемых каскадов сложна и в настоящее время решена лишь для простейших случаев. Ниже приведены оптимальные соотношения для двух - и трехкаскадных усилителей с параллельной высокочастотной коррекцией. [28]
Задача определения оптимальных соотношений параметров высокочастотной коррекции взаимно корректируемых каскадов сложна и в настоящее время решена лишь для простейших случаев. Ниже приведены оптимальные соотношения для двух - и трехкаекадных усилителей с параллельной высокочастотной коррекцией. [30]
Страницы: 1 2 3