Cтраница 4
Рассмотрим диаграмму состояния бинарной системы с ограниченной областью твердых растворов. При равновесной кристаллизации из жидкости состава х при температуре tt выпадают первые кристаллы состава у. Если кристаллизация происходит в неравновесных условиях, то в сплаве сохраняется неоднородность состава. В реальных условиях при понижении температуры диффузия в кристаллах подавлена. [46]
Рассмотрим диаграмму состояния бинарной системы с ограниченной областью твердых растворов. При равновесной кристаллизации из жидкости состава х при температуре / t выпадают первые кристаллы состава у. Если кристаллизация происходит в неравновесных условиях, то в сплаве сохраняется неоднородность состава. В реальных условиях при понижении температуры диффузия в кристаллах подавлена. [47]
Эта диаграмма описывает процесс кристаллизации в том случае, когда из расплава выделяются только чистые кристаллические компоненты системы. Боковые поверхности объемной диаграммы представляют собой три диаграммы состояния бинарных систем с одной эвтектикой, аналогичные диаграмме, показанной на рис. XIII, 2 ( стр. Температуры затвердевания этих трех эвтектик различны. [48]
Эта диаграмма описывает процесс кристаллизации в том случае, когда из расплава выделяются только чистые кристаллические компоненты системы. Боковые поверхности объемной диаграммы представляют собой три диаграммы состояния бинарных систем с одной эвтектикой, аналогичные диаграмме, показанной на рис. XIII, 2 ( стр. Температуры затвердевания этих трех эвтек-тик различны. [49]
Только в последней главе книги рассматривается кристаллохимия наиболее простых бинарных соединений. Здесь основной акцент сделан на согласовании кристаллохимических данных с диаграммами состояния бинарных систем, на выявлении различных форм образования в них твердых растворов. Особенно детально эти вопросы рассмотрены в металлических сплавах и интерметаллидах. [50]
Наиболее перспективными в настоящее время материалами для твердотельных диэлектрических лазеров являются соединения сложных оксидов редкоземельной группы элементов и алюминия. Рассмотрим их свойства на примере диаграммы состояний двойной системы V2O3 - A12O3, но вначале поясним, что такое диаграммы состояний бинарных систем и как ими пользоваться. [51]
Окислы металлов относятся к классу наиболее широко применяющихся в различных областях техники материалов. В справочнике систематизированы физические, физико-химические и химические свойства окислов, в частности приведены общие сведения об окислах, их электрические, магнитные, оптические, термодинамические, механические, термические, ядерные, химические и огнеупорные свойства, а также сведения об основных областях применения окислов металлов и диаграммы состояния бинарных систем металл - окисел. [52]
Изменение периода кристаллической решетки а-твердого раствора в системе Fe - Mo по глубине зоны легирования. [53] |
А), показало, что приращение периода решетки составляет в среднем 0 06 А. В соответствии с данными рис. 14 концентрация молибдена, растворенного в а-железе, может изменяться в пределах от 28 до 36 % по массе. Эти значения сильно отличаются от аналогичных данных, полученных при анализе диаграммы состояния бинарной системы железо - молибден для равновесных условий при температурах, не превышающих 500 С, когда в растворе может находиться не более 6 7 % молибдена. Такой интенсивный процесс насыщения можно объяснить механическим перемешиванием перегретых металлов под действием динамических сил, возникающих при поглощении энергии лазерно - [ го излучения поверхностью. [54]
Косо л апов а, Малахов Я. С., Малахов В. Окислы металлов относятся к классу наиболее широко применяемых в различных областях техники материалов. В справочнике систематизированы физические, физико-химические и химические свойства окислов. В частности приведены общие сведения об окислах, кристаллическая структура, их электрические, магнитные, оптические, термодинамические, механические, термические, молекулярные, ядерные, химические, каталитические и огнеупорные свойства, а также диаграммы состояния бинарных систем металл - кислород. [55]