Cтраница 1
Скорость свободнорадикальной атаки на атом водорода зависит от строения связанного с ним заместителя. [1]
Мы знаем, что для определения наиболее выгодного направления свободнорадикальной атаки в статическом методе необходимо знать значение индекса свободной валентности FT для данного положения г. К этому можно добавить, что сумма значений 2 / v для всех положений характеризует реакционную способность всей молекулы. [2]
Образование некоторого количества СНР2СНВгР идет, вероятно, за счет свободнорадикальной атаки. [3]
При обсуждении локализации л-электронов и механизма свободнорадикальной реакции было показано [137] с помощью простой теории молекулярных орбиталей, что частично свободнорадикальная атака сопряженной молекулы включает процесс столкновения между сопряженной молекулой и атакующим реагентом, при котором связь С - Н в месте атаки выходит из плоскости молекулы. При этом возникает тенденция выделения свободного электрона из я-электронной системы в месте атаки. [4]
При обсуждении локализации л-электронов и механизма свободнорадикальной реакции было показано [137] с помощью простой теории молекулярных орбиталей, что частично свободнорадикальная атака сопряженной молекулы включает процесс столкновения между сопряженной молекулой и атакующим реагентом, при котором связь С - Н в месте атаки выходит из плоскости молекулы. При этом возникает тенденция выделения свободного электрона из п-электронной системы в месте атаки. [5]
Присоединение свободного радикала к ароматическому ядру приводит к ликвидации ароматического характера ядра, по аналогии с электрофильным и нуклеофильным присоединениями. Поэтому возникающий при этом свободный радикал склонен к легкой потере атома водорода в результате свободнорадикальной атаки, после чего ароматичность цикла восстанавливается. [6]
При элиминировании первого из названных на его место обычно становится кислородосодержащий заместитель. При этом сначала в результате свободнорадикальной атаки образуются перекиси. Одна из них, 2.852, найдена в растении Maytenus diversifolia. [7]
Расчеты электрофильного замещения V, VIII и Ха предсказывают, что положение 8 должно быть наиболее подвержено электрофильной атаке. Возможно, что в некоторых случаях галогенирование протекает по радикальному механизму, особенно при проведении реакции в запаянных трубках при высокой температуре. Рассмотрение схемы V, иллюстрирующей результат расчета свободнорадикальной атаки, подтверждает, что реакции этого типа также должны легче всего проходить по положению 8 пуринового ядра. [8]