Коэффициент - напыление
Cтраница 1
Коэффициент напыления зависит в основном от способа напыления, а также размеров и формы детали и должен выбираться на основании опытных данных. [1]
Величина коэффициента напыления при плазменном напылении выше, чем при других способах напыления, и зависит от материала порошка, от диаметра - напыляемой детали и от основных параметров режима. [2]
Величина коэффициента напыления при плазменном напылении выше, чем при других способах напыления, и зависит от материала порошка, от диаметра напыляемой детали и от основных параметров режима. [3]
Получена экспериментальная зависимость коэффициента напыления К от угла натекания струи а. При углах 60 - 75 на поверхности покрытия зарегистрирована четко выраженная волнистая структура, гребни которой расположены перпендикулярно к направлению движения частиц. [4]
На рис. 4.1 а показан участок поверхности покрытия из алюминия, напыленного в режиме малых значений коэффициента напыления ( kti 1) на образец из латуни. Здесь и далее, если специально не отмечено, речь будет идти только о покрытиях, напыленных под углом 90 или близких к нему. Видно, что покрытие состоит из сильно деформированных, плотно упакованных частиц, равномерно покрывающих поверхность. [5]
В условиях данных опытов скорость частиц на срезе сопла практически не зависит от их расхода, поэтому можно считать, что коэффициент напыления линейно зависит от концентрации частиц в струе. [6]
В заключение отметим, что представленные выше результаты исследований процесса газодинамического напыления позволяют выделить два достаточно характерных режима формирования покрытий в зависимости от величины коэффициента напыления. [7]
 |
Источник ионов ИЭ-02.| Трехленточный источник ионов ИТ-02. [8] |
Испаритель и ионизатор нагреваются проходящим по ним электрическим током: испаритель - до температуры испарения ( распыления) пробы, ионизатор - до температуры ионизации анализируемого вещества. Часть молекул, распыленная с испарителя ( коэффициент напыления составляет примерно 0 25), достигает поверхности ионизатора. Образовавшиеся ионы формируются ионно-оптической системой источника в пучок строго определенной формы. [9]
 |
Источник ионов ИЭ-02.| Трехленточный источник ионов ИТ-02. [10] |
Испаритель и ионизатор нагреваются проходящим по ним электрическим током: испаритель - до температуры испарения ( распыления) пробы, ионизатор-до температуры ионизации анализируемого вещества. Часть молекул, распыленная с испарителя ( коэффициент напыления составляет примерно 0 25), достигает поверхности ионизатора. Образовавшиеся ионы формируются ионно-оптическон системой источника в пучок строго определенной формы. [11]
Показано, что при скорости частиц, Vp меньше критического значения vcr, при которой одиночные частицы не закрепляются на подложке, можно, увеличивая концентрацию частиц, перейти от эро-зяи подложки к процессу напыления. Экспериментальные исследования при больших концентрациях частиц показали, что основными особенностями процесса напыления к этом режиме является наличие критического удельного массового расхода частиц Qicr ниже которого покрытие не образуется при любом времени воздействия двухфазной струи, а также очень малое значение коэффициента напыления К - Дт / М - Ю 3 - 10 и его линейная зависимость от удельного массового расхода частиц QJ. Кроме этого покрытия, полученные в этом режиме, существенно отличаются по своим свойствам от покрытий полученных при VpVcr и обладают повышенными значениями адгезии, микротвердости и других характеристик. [12]
 |
Фотографии микрошлифов областей с различной температурой поверхности в момент напыления. [13] |
На рис. 3.28 а представлена микрофотография шлифа в области поверхности образца с Tw ( x, 0) 700 Кис температурой горячего конца 7ЦО, 0) 1000 К, на рис. 3.28 6 микрофотография шлифа в области Т ( х, 0) 1200 К. Отчетливо виден слой окалины с покрытием на его поверхности. Видно, что с ростом температуры происходит увеличение толщины покрытия ( от 40 до 170 мкм), причем интенсивнее при использовании подогретого газа. Это можно объяснить более благоприятными условиями образования покрытия при использовании струи, подогретой до 400 К: во-первых, с ростом температуры струи коэффициент напыления увеличивается [72], во-вторых, более сильное охлаждение поверхности подложки неподогретой струей газа приводит к снижению температуры в контакте частица-подложка и соответственно к уменьшению коэффициента напыления в этом режиме. [14]
На рис. 3.28 а представлена микрофотография шлифа в области поверхности образца с Tw ( x, 0) 700 Кис температурой горячего конца 7ЦО, 0) 1000 К, на рис. 3.28 6 микрофотография шлифа в области Т ( х, 0) 1200 К. Отчетливо виден слой окалины с покрытием на его поверхности. Видно, что с ростом температуры происходит увеличение толщины покрытия ( от 40 до 170 мкм), причем интенсивнее при использовании подогретого газа. Это можно объяснить более благоприятными условиями образования покрытия при использовании струи, подогретой до 400 К: во-первых, с ростом температуры струи коэффициент напыления увеличивается [72], во-вторых, более сильное охлаждение поверхности подложки неподогретой струей газа приводит к снижению температуры в контакте частица-подложка и соответственно к уменьшению коэффициента напыления в этом режиме. [15]
Страницы: 1