Cтраница 1
Коэффициент насыщения транзистора в режиме переключения - отношение тока базы биполярного транзистора в открытом состоянии к значению тока базы, при котором рабочая точка транзистора переходит из активной области на границу насыщения области. [1]
Коэффициент насыщения транзистора предварительно определяется из графика на рис. 8.15. Для обеспечения времени включения tSKS0 8 мксек минимальная степень насыщения должна быть равна двум. [2]
Задача 5.7. В условии задачи 5.6 определить коэффициент насыщения транзистора VT3, считая, что нагрузка данного элемента - восемь параллельно включенных таких же элементов ТТЛ. [3]
При увеличении тока базы ток / к нас остается постоянным, а факт увеличения тока базы учитывается введением коэффициента насыщения транзистора / Снас определяемого как отношение фактического тока базы в режиме насыщения к току базы на границе насыщения. [4]
Для надежного насыщения транзистора необходимо, чтобы условие (3.3) выполнялось при / шэ faidmin - Величина SH / Б / / Б н 1 называется коэффициентом насыщения транзистора. [5]
Для надежного насыщения транзистора необходимо, чтобы условие (3.3) выполнялось при / шэ - Ьпэпип - Ве-личина SH гб / / б н 1 называется коэффициентом насыщения транзистора. [6]
При выборе предпочтение необходимо отдавать транзисторам с возможно меньшим отношением экстремальных значений коэффициента усиления по току рмакс / Рмин - Чем меньше это отношение, тем меньше будет коэффициент насыщения транзисторов в наиболее неблагоприятных условиях работы, и, следовательно, триггер будет обладать большим быстродействием и чувствительностью. [7]
Если от напряжений перейти к токам, полагая, что входной ток схемы линейно связан с входным напряжением, то нетрудно заметить, что помехоустойчивость в состоянии 1 совпадает по определению с коэффициентом насыщения транзистора. [8]
Анализ работы ИФН показал, что при изменении сопротивления нагрузки и колебаниях напряжения первичного источника питания величина выражения ( 5) изменяется в небольших пределах ( 5 - 10 %), что объясняется изменением коэффициента насыщения транзисторов и соответствующим изменением времени рассасывания избыточного заряда неравновесных носителей и времени формирования заднего фронта импульса. [9]
Следовательно, при работе транзисторного ключа в микрорежиме: 1) с уменьшением рабочего тока значительно возрастает время переключения; 2) с уменьшением сопротивления генератора повышается быстродействие и 3) величина времени рассасывания и соответственно коэффициент насыщения транзистора практически не влияют на время переключения. [10]
В статическом триггере ( рис. 3.3) транзистор VT 1 находится в состоянии насыщения. Определить напряжения Q UK, Q UK2 и коэффициент насыщения транзистора VT1, если Un 4, 7 В; RKi RK2 0, 45 кОм; RI R2 4, 55 кОм; R6i R62 20 кОм; / г21Э 30; EG - 0, 85 В; R3 R32 50 Ом. [11]
Как следует из уравнения (32.6), ток намагничивания линейно растет во времени, а токи базы и нагрузки остаются неизменными. При нарастании тока коллектора ток базы остается неизменным, поэтому коэффициент насыщения транзистора постепенно уменьшается. В результате за счет положительной обратной связи происходит регенеративный процесс, в результате которого транзистор оказывается запертым. [12]