Коэффициент - перенос - дырка
Cтраница 1
Коэффициент ап переноса дырок через базы, естественно, зависит от соотношения ширины базы и диффузионной длины. [1]
У, рП1 и РР2 - коэффициенты переноса дырок через базу п и электронов через базу р2, зависящие от эффективных толщин этих баз. [2]
Влияние рекомбинации в базе на величину коллекторного тока учитывается коэффициентом переноса дырок ] 5 / к. [3]
 |
Вольт-амперная характеристика ненасыщенной р-п-р-п структуры в открытом состоянии.| Зависимость коэффициента переноса дырок через базу i тиристора от тока. [4] |
Одной из причин медленного роста сн аа с ростом тока является зависимость коэффициента переноса дырок р через базу п от уровня инжекции в этой базе. [5]
По мере роста анодного тока уровень инжекции в слаболегированной базе п повышается. Коэффициент переноса дырок через эту базу увеличивается. [7]
 |
Эквивалентная схема ОЭ для постоянных составляющих. [8] |
Второй тип пробоя в схеме ОЭ является еще более специфичным и носит название эффекта смыкания. При этом согласно ( 4 - 18) коэффициент переноса дырок делается равным единице. Соответственно резко возрастает коэффициент f, и практически имеет место пробой транзистора. [9]
С увеличением UKc коллекторный переход расширяется и уменьшается толщина базы, так как ширина / - п - 1перехода растет за счет более высокоомной ( с меньшим количеством примесей) базовой области полупроводника. Уменьшение толщины базы снижает число рекомбинаций дырок при диффузии их через базу и увеличивает коэффициент переноса дырок ( 5 [ см. формулу (4.2) ] и ток коллектора / к. Эффект модуляции ширины базы ( называемый также эффектом Эрли) приводит к зависимости тока / к от напряжения на транзисторе и тем самым обусловливает конечное сопротивление коллекторного перехода. [10]
Они обладают значительной фоточувствительностью, так как являются по сути дела многослойными фототранзисторами. Эффективный квантовый выход фотопроводимости супермногослойных структур должен быть около ( Рр Р) / ( 1 - рР - Рп), где Рр и рп - коэффициенты переноса дырок и электронов, инжектированных из смещенного в пропускном направлении отдельно взятого р-л-элемента с учетом эффективности инжекции. Поскольку эти величины немногим отличаются от единицы, видно, что фоточувствительность таких многослойных структур может быть очень высока. [11]
Второй тип пробоя в схеме ОЭ является еще более специфичным и носит название эффекта смыкания. В основе этого эффекта лежит расширение коллекторного перехода при увеличении напряжения V к. При этом согласно ( 4 - 18) коэффициент переноса дырок делается равным единице. Соответственно резко возрастает величина р и практически имеет место пробой транзистора. [12]
Таким образом, в области высоких частот или при работе с импульсными сигналами период колебаний или же время нарастания и спада импульсного напряжения ( длительность фронтов импульса) могут быть весьма малы, так что их величины будут соизмеримы с временем протекания физических процессов в транзисторе. В этих условиях появляются фазовые сдвиги между напряжениями и токами в приборе, характеристические проводимости транзистора становятся комплексными величинами, изменяются по величине другие параметры прибора и, что особенно важно, коэффициент передачи тока. Уменьшение с ростом частоты коэффициента передачи тока а обусловлено в основном уменьшением двух его компонентов: коэффициента инжекции у и коэффициента ап переноса дырок через базу. [13]
При этом сумма аю сся) существенно превышает 1 и постоянная времени тя уменьшается. Типичные значения тн равны в этом случае нескольким десятым долям микросекунды. Приближенно постоянная времени тн в рассматриваемом случае зависит только от электрофизических параметров составного п-р - п транзистора. Это связано с тем, что составляющая коэффициента переноса дырок через базу Ль равная 1 / ( Ь 1), обусловлена дрейфом, а не диффузией дырок, и является практически безынерционной. [14]
Приближенность этих формул связана с тем, что постоянные времени тн и ту в действительности не являются постоянными, а изменяются со временем. В § 8.1 было показано, что постоянная времени нарастания тн уменьшается на этапе лавинообразного роста тока. К моменту окончания этого этапа тн достигает своего минимального значения. Однако в момент окончания этапа лавинообразного роста изменяется характер нарастания анодного тока. Нарастание анодного тока по экспоненте с положительным показателем сменяется его ростом по экспоненте с отрицательным показателем Скорость нарастания анодного тока на начальном участке этапа установления сохраняется при этом примерно такой же, как и на конечном участке этапа лавинообразного роста тока. В дальнейшем по мере роста тока ту возрастает. Вследствие этого время пролета дырок через базу п увеличивается, а коэффициент переноса дырок через эту базу уменьшается. [15]
Страницы: 1