Коэффициент - поглощение
Cтраница 1
 |
Спектры поглощения хлористого серебра и бромистого таллия. [1] |
Коэффициент поглощения дан в произвольных единицах. [2]
 |
Энергетическая диаграмма р-п перехода, облучаемого световым потоком. [3] |
Коэффициент поглощения а0, как известно, зависит от частоты. Предположим, что для частот, отвечающих условию ( 14 - 20), а () достаточно велик, так что основные акты поглощения происходят в толще р-полупроводника, недалеко от его поверхности. В результате собственного поглощения образуются пары свободных зарядов: электроны и дырки. Достигнув этого слоя, электроны увлекаются контактным полем § к и перебрасываются в га-область, где они являются основными носителями. Дырки тормозятся контактным полем и остаются в р-области. Таким образом, по обе стороны запирающего слоя увеличивается концентрация основных носителей зарядов. [4]
Коэффициент поглощения оказывается не зависящим от частоты. [5]
 |
Зависимости ф ( а.| Зависимость ф ( од. [6] |
Коэффициенты поглощения для строительных конструкций некоторых типов. [7]
Коэффициент поглощения xv пара или газа в пределах ширины спектральной линии выражается такой же функцией от частоты v, как и распределение интенсивности / v в линии испускания, при одинаковых причинах расширения. [8]
 |
Изменение давления газа на устье при пуске газ-лифтной скважины. [9] |
Коэффициент поглощения а зависит от многих факторов, таких как коэффициент продуктивности скважины при поглощении, репрессия, определяемая величиной т, длительность пуска, вязкость жидкости и др. Однако он всегда может быть определен для реальной скважины по фактическому пусковому давлению. [10]
Коэффициент поглощения заметно отличается от нуля лишь в одном или нескольких определенных для данного вещества участках спектра. В случае атомов эти участки очень узки и носят название линий поглощения, а спектры веществ, находящихся в атомарном состоянии, называются в связи с этим линейчатыми. В случае молекул, особенно в растворах, эти участки широкие и носят название полос поглощения. [11]
 |
Край поглощения некоторых аморфных полупроводников при 20 С. Стрелками обозначены значения энергии 2Е для материалов, в которых о 00 exp ( - E / k Т [ 12, с. 318 ]. [12] |
Коэффициент поглощения растет экспоненциально с увеличением энергии фотонов. [13]
Коэффициент поглощения зависит как от свойств кристаллической решетки и состояния поверхности материала электрода, так и от особенностей спектра падающего теплового потока. В большинстве практических расчетов такое соответствие используют для приближенной оценки коэффициента поглощения любого тела при произвольном спектре падающего потока излучения. [14]
Коэффициент поглощения а большинства оптических материалов существенно изменяется с температурой и частотой, так что для различных частотно-температурных интервалов используются разные материалы. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5