Коэффициент - преломление - кристалл
Cтраница 1
Коэффициент преломления кристалла, а значит, и добавки к пч для этих вытянутых областей пучка будут различными. Добавка относительно мала ( по сравнению с П2т), поэтому астигматизм тепловой линзы невелик. [1]
Измерение коэффициентов преломления кристаллов необходимо для точного определения нелинейной восприимчивости и направлений синхронизма. [2]
Исследование и измерение неоднородности коэффициента преломления кристаллов производится, как правило, с помощью методов, основанных на интерференции невозмущенного светового луча и луча, прошедшего через исследуемый кристалл. [3]
 |
Области светового пучка с радиальной и тангенциальной составляющими поляризации.| Деформация оптической шдикат - Piircbi при тепловом искажении кристалла АИГ-Nd. [4] |
АИГ-Nd представляет собой сферу, радиус которой равен коэффициенту преломления кристалла / га. Одна ось направлена вдоль оси элемента z и одинакова во всех точках элемента, вторая - - вдоль радиуса в данную точку и третья - перпендикулярно радиусу. [5]
При втором способе внутри резонатора ОКГ помещают электрооптический кристалл. В случае изменения коэффициента преломления кристалла изменяются оптическая длина резонатора и частота излучения. [6]
В устройстве для отклонения луча ( дефлекторе) используют различные физические принципы, например, дифракцию света на бегущих акустических волнах в оптоакустическом отклоняющем блоке. В этом случае звуковые акустические колебания вызывают периодические изменения коэффициента преломления кристалла или жидкости. Угол отклонения луча задается частотой акустических колебаний. Два последовательно установленных одинаковых блока дают возможность отклонять пучок света в заданное место плоскости носителя информации. Для отклонения луча применяют метод использования явления двойного лучепреломления света, основанный на оптической анизотропии кристаллов. Коэффициент преломления в таких кристаллах может изменяться под действием внешнего приложенного электрического поля. Рассмотренные и другие методы управления лучом достаточно хорошо разработаны и позволяют получить быстродействие в единицы и десятки микросекунд, что и составляет время считывания в голографических ЗУ или время поиска места записи страницы ( массива) информации. [7]
В этом материале под влиянием луча лазера при записи происходит обратимая реакция между цис - и транс-изомерами. При этом локально изменяется коэффициент преломления кристалла. Записанная информация может быть стерта светом другой длины волны. Считывание происходит на волне, не вызывающей взаимного превращения изомеров. Материал обладает высокой чувствительностью. [8]
Частотная модуляция ОКГ осуществляется методами внутренней моду-с использованием эффектов Зеемана и Штарка или посредством изменения параметров оптического резонатора. При изменении геометрических размеров резонатора одно из зеркал устанавливают на магнитострикционном стержне, на обмотку которого подают модулирующее напряжение. При изменении оптической длины резонатора в нем размешают электрооптический кристалл. Модуляция коэффициента преломления кристалла вызывает модуляцию оптической длины резонатора и частоты генерации. При помощи такого модулятора на кристалле KDP получено в видимой области спектра смещение частоты 50 МГц от управляющего напряжения 100 В. [9]
Действительно, внутренний потенциал е мы можем найти другим, совершенно независимым способом, а именно с помощью опытов по дифракции медленных электронов. Когда на кристаллическую решетку падают катодные лучи, на решетке, как - мы знаем, происходит дифракция электронов, причем положение дифракционных максимумов зависит от длины волны де - Бройля X - / i / p для электрона. Однако, проникая в кристалл, катодный луч испытывает преломление на поверхности, так как кинетическая энергия электронов в твердом теле больше, а поэтому длина их волны меньше, чем вне тела. Здесь, как и в оптике, мы можем говорить о коэффициенте преломления кристалла по отношению к электронам; как и в оптическом случае, этот коэффициент равен отношению длин волн внутри и вне кристалла. [10]
Существенно большие неоднородности коэффициента преломления активных элементов возникают при их нагреве излучением источника накачки. Причиной служит выделение внутри активного элемента существенного количества тепла от источника накачки и то, что тепло отводится от разных частей кристаллов неравномерно. Тепло отводится только от внешней поверхности кристалла, непосредственно контактирующей с охлаждающей кристалл средой, например жидкостью. Поэтому граница кристалла холоднее его центральной части, вследствие чего возникают температурные градиенты и градиенты коэффициента преломления кристалла. Возникающая обычно в таких случаях симметрия облучения кристалла светом накачки и отвода тепла обусловливает симметричное тепловое поле внутри кристалла, имеющее максимум температуры в центре кристалла и плавно спадающее к его краям. [11]
Страницы: 1