Cтраница 4
![]() |
Включение фотодиода в вентильном ре. [46] |
Величина коэффициента рассеяния зависит от материала, конструкции и температуры перегрева фотодиода, определяемой разностью температур приемника и среды. [47]
![]() |
Расчет магнитной цепи. [48] |
Величина коэффициента рассеяния находится обычно в пределах 1 1 - 1 3 и принимается по аналогии с выполненными аппаратами. При необходимости после проведения предварительного расчета величина коэффициента рассеяния уточняется в последующем. [49]
Сумму коэффициентов рассеяния и поглощения в соответствии с законом сохранения энергии определим как коэффициент ослабления а ап ар. [50]
Отношение коэффициента рассеяния к коэффициенту ослабления по мере увеличения рд увеличивается, а доля истинного поглощения соответственно уменьшается. При рд 20 это отношение практически перестает зависеть от рд и получается равным 0 55 - 0 73 в зависимости от оптических констант вещества частиц. Таким образом, если среда запылена частицами больших размеров, то коэффициенты ослабления, поглощения и рассеяния не зависят от длины волны; поэтому такая среда будет серой, что весьма облегчает анализ явлений излучения. [51]
Сопоставление коэффициента рассеяния и длины свободного пробега основано на следующих простых соображениях, впервые развитых Я. [52]
Изменение коэффициента рассеяния влияет на условия теплообмена между ТР и окружающей средой. Это приводит к изменению температуры терморезистора. Например, увеличение коэффициента рассеяния при одних и тех же остальных условиях приводит к охлаждению ТР. [53]
Отношение коэффициента рассеяния к коэффициенту ослабления по мере увеличения рд увеличивается, а доля истинного поглощения соответственно уменьшается. При рд 20 это отношение практически перестает зависеть от рд и получается равным 0 55 - 0 73 в зависимости от оптических констант вещества частиц. Таким образом, если среда запылена частицами больших размеров, то коэффициенты ослабления, поглощения и рассеяния не зависят от длины волны; поэтому такая среда будет серой, что весьма облегчает анализ явлений излучения. [54]
Изменение коэффициента рассеяния происходит при перемещении терморезистора из одной среды в другую, а также при изменении скорости движения среды и ее плотности. Это позволяет создавать на основе терморезисторов приборы, например для автоматического регулирования и поддержания в заданных пределах уровня жидкостей и сыпучих тел. Принципиальные схемы таких приборов аналогичны схеме теплового контроля. [55]
Полюсы коэффициента рассеяния г многослойной системы совпадают с резонансными поперечными волновыми числами и дают все возможные решения уравнений Максвелла в пространстве без источников. С интуитивной точки зрения поскольку I г - оо при приближении к полюсу, амплитуда падающей волны может стремиться к нулю, но по-прежнему она будет возбуждать отраженную волну конечной амплитуды. [56]
Значения коэффициентов рассеяния а изменяются в значительно больших пределах: от 1 до оо. [57]
Определение коэффициента рассеяния по предложенной номограмме дает приближенные значения, которые могут использоваться лишь для первоначального, ориентировочного выбора размеров системы. [58]
Значения коэффициентов рассеяния, рекомендуемые для практического применения различными авторами, отличаются друг от друга. Пределы изменения коэффициента рассеяния очень велики: от величин, близких к единице, до величин порядка 20 - 30 и более. [59]
![]() |
Определение графическим путем максимальной энергии постоянного магнита. [60] |