Коэффициент - расслоение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Вы молоды только раз, но незрелым можете оставаться вечно. Законы Мерфи (еще...)

Коэффициент - расслоение

Cтраница 1


Коэффициент расслоения принимает минимальное значение, равное 1, если все обращения адресуются к одному блоку. Следовательно, для увеличения производительности памяти необходимо распределить информацию по блокам таким образом, чтобы обращения к ОП со стороны процессора и КВВ были в максимальной степени расслоены. Эта задача может решаться следующими двумя способами.  [1]

2 Характеристики бу - [ IMAGE ] Схемы включения буферного ЗУ ферного ЗУ. [2]

ЭВМ коэффициенты расслоения при использовании 2 -, 4 - и 8-блочной памяти обычно лежат в пределах 1 2 - 1 3; 1 7 - 2 2 и 3 4 - 4 2 соответственно.  [3]

Значение коэффициента расслоения и, следовательно, степень увеличения производительности ОП зависит от класса решаемых машиной задач, порождающего определенный характер распределения адресов в последовательных обращениях к памяти.  [4]

Степень расслоения обращений характеризуется коэффициентом расслоения, равным среднему числу обращений к ОП, которые могут быть приняты на обслуживание одновременно.  [5]

Однако при одном и том же коэффициенте расслоения ОЗУ пропускная способность памяти ( среднее число заявок, обслуженных за один такт) и живучесть системы в целом существенно изменяются в зависимости от принципа организации памяти по различным модульным или блочно-модульным схемам.  [6]

При сооружении скважин большого диаметра можно рекомендовать применение разнозернистой обсыпки при условии, если межслойный коэффициент, умноженный на коэффициент расслоения, не превышает 20 или Deo / D60 5 20, где Dgo m Z) 50 - диаметры частиц, соответствующие пропуску 90 и 50 % породы.  [7]

Совмещение работы блоков во времени становится возможным, если последующие обращения к памяти адресованы к блокам, не занятым обслуживанием предшествующих запросов, другими словами, если последовательность обращений будет расслоена между блоками. Степень расслоения обращений характеризуется коэффициентом расслоения, равным среднему числу обращений к памяти, которые могут быть приняты на обслуживание одновременно.  [8]

Степень расслоения обращений характеризуется коэффициентом расслоения, равным среднему числу обращений к ОП, которые могут быть приняты на обслуживание одновременно. Коэффициент расслоения 2 - 8-блочной ОП универсальных ЭВМ лежит в пределах ( 1 3 - 4 2) и ( 3 - 4) соответственно.  [9]

Процесс распределения последовательности обращений к памяти между различными блоками памяти называется расслоением памяти. При этом имеется в виду, что работа блоков памяти совмещается во времени, в результате чего обмен информацией с памятью происходит со скоростью большей, чем при последовательной работе блоков памяти. Максимальное количество одновременно выполняемых в памяти обращений называется коэффициентом расслоения памяти. Коэффициент расслоения ОЗУ определяется количеством автономных блоков, составляющих ОЗУ.  [10]

Оперативные одновходовые моноблочные ЗУ наиболее распространены в микро -, мини - ЭВМ и ЭВМ средней производительности. Для повышения быстродействия ОЗУ в ЭВМ высокой производительности используют одновходовые многоблочные секционные ЗУ. Степень расслоения ( совмещения) обращений к отдельным блокам памяти характеризуется коэффициентом расслоения / Срс ( переменной величиной, изменяющейся во времени от 1 до числа независимых блоков в ЗУ), численно равным количеству одновременных обращений к ОЗУ. Среднее значение Крс зависит от количества блоков в ЗУ и характера задач.  [11]

Процесс распределения последовательности обращений к памяти между различными блоками памяти называется расслоением памяти. При этом имеется в виду, что работа блоков памяти совмещается во времени, в результате чего обмен информацией с памятью происходит со скоростью большей, чем при последовательной работе блоков памяти. Максимальное количество одновременно выполняемых в памяти обращений называется коэффициентом расслоения памяти. Коэффициент расслоения ОЗУ определяется количеством автономных блоков, составляющих ОЗУ.  [12]



Страницы:      1