Коэффициент - рекомбинация - электрон - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Коэффициент интеллектуального развития коллектива равен низшему коэффициенту участника коллектива, поделенному на количество членов коллектива. Законы Мерфи (еще...)

Коэффициент - рекомбинация - электрон

Cтраница 1


1 Зависимость вероятности ионизации соответствующих атомов от энергии электрона. [1]

Коэффициент рекомбинации электронов ае значительно меньше коэффициента рекомбинации ионов a. При рекомбинации электронов могут иметь место два случая ( табл. 5 - 10, пп.  [2]

Так как коэффициент рекомбинации электронов и положительных ионов имеет чрезвычайно малую величину порядка 10 - 8 - 10 - 10, то первый из этих процессов ни в одном газе не может обеспечить требуемую малую величину времени восстановления. Процесс диффузии происходит значительно быстрее, но совершается все еще слишком медленно для достаточно быстрой деэлектронизащш. При обычных конфигурации и размерах антенных переключателей он приводит ко времени восстановления в сотни микросекунд. Однако наполнение разрядников только каким-либо электроотрицательным газом также неприемлемо. В этих газах разряд формируется недостаточно быстро. В то же время электроотрицательные газы быстро жестятся. Поэтому для наполнения антенных переключателей применяется обычно водород или аргон, смешанные с каким-либо электроотрицательным газом. В качестве такового в литературе упоминаются: 02, Н20 ( пары воды), С12, S02, NO. Парциальные давления электроположительного и электроотрицательного газа бе рутся, по литературным данным, равными между собой, а суммарное давление-в пределах от 10 до 33 мм рт. ст. Иногда вместо искусственной примеси пользуются газами, выделяющимися в самом приборе, а также случайными примесями в неочищенном основном газе. Такой прием, понятно, должен приводить к большому разбросу значений времени восстановления, получаемого в результате применения прибора.  [3]

Таким образом, коэффициент рекомбинации электрона и комплексного иона обратно пропорционален корню квадратному из температуры электронов.  [4]

Задача 4.57. Вычислить коэффициент рекомбинации электрона и иона, если рекомбинация обусловлена тройными столкновениями электрона с атомами газа.  [5]

Задача 4.49. Определить величину коэффициента рекомбинации электрона и иона, происходящей через образование автоионизационного состояния атома.  [6]

Задача 4.50. Определить зависимость коэффициента рекомбинации электрона и иона через образование автоионизационного состояния от температуры электронов.  [7]

Задача 4.51. Определить зависимость коэффициента диссо циативной рекомбинации электрона и молекулярного иона от температуры электронов, если молекулярный ион находится в основном колебательном состоянии и возбужденные атомы образуются в одном состоянии.  [8]

Легко видеть, что любые процессы, влияющие, на ионный состав плазмы, влияют тем самым и на коэффициент рекомбинации электронов.  [9]

10 Зависимость вероятности ионизации соответствующих атомов от энергии электрона. [10]

Для рекомбинации частиц нужно, чтобы скорость их относительного движения была не слишком велика. Поэтому коэффициент рекомбинации электронов зависит от давления газа. При малых давлениях газа преобладающую роль играет рекомбинация на стенках и электродах при двуполярной диффузии к ним электронов и ионов.  [11]

Зависимость ре от давления должна быть линейной. Значения коэффициентов рекомбинации электронов, найденные экспериментально, имеют тот же порядок величины, но их зависимости от давления, энергии и температуры еще недостаточно изучены.  [12]

Энергия рекомбинации может быть полностью или частично затрачена на диссоциацию молекулы, она может перейти также в колебательную или кинетическую энергию молекулы или вызвать химические реакции. В табл. 21 приводятся экспериментальные значения коэффициентов рекомбинации электронов.  [13]

Нас интересует случай, когда терм XY проходит над дном терма молекулярного иона значительно выше, чем температура электронов. В этом случае при Sa - Te коэффициент рекомбинации увеличивается с ростом колебательной температуры при постоянной температуре электронов. & а1Те, соответствующая экспоненциально малому числу резонансных электронов. Если же ширина уровня автоионизационного состояния молекулы XY не очень мала, так что коэффициент рекомбинации определяется захватом нерезонансных электронов, то в этом случае из-за малой энергии электронов автоионизационное состояние образуется в классически недоступной области расстояний между ядрами. В этом случае коэффициент рекомбинации дается формулой (1.3.6), умноженной на экспоненциальную малую величину - вероятность нахождения ядер в молекуле XY при классически недоступном расстоянии между ядрами. Таким образом, коэффициент рекомбинации электрона и молекулярного иона через образование автононнзацнонного состояния молекулы, терм которого проходит высоко над термом молекулярного иона, увеличивается с ростом колебательной температуры молекулярного иона при постоянной температуре электронов. Сопоставляя это с результатами экспериментальных исследований (1.3.2), находим, что диссоциативная рекомбинация проходит через образование автоионизационных состояний, термы которых лежат ниже терма молекулярного иона или проходят вблизи минимума этого терма.  [14]



Страницы:      1