Коэффициент - собирание - носитель
Cтраница 1
Коэффициент собирания носителей Q зависит от напряженности поля в области пространственного заряда и энергии падающего излучения. [1]
Считается, что коэффициент собирания носителей равен единице. [2]
Отметим, что коэффициент собирания носителей заряда также может быть функцией облученности. Распределение спектральной плотности потока фотонов по энергиям в условиях AM 1 5 приведено на рис. 3.2. Представленные на рис. 3.3 и 3.4 интегральные значения плотности потока фотонов полезны для выполнения оценочных расчетов. [3]
В предыдущих примерах предполагалось, что коэффициент собирания носителей заряда T Q не зависит от приложенного напряжения смещения. [5]
 |
Спектральная зависимость коэффициента собирания Q носителей заряда в солнечном элементе на основе a - Si. Н с р - i - / г-структурой 1-го типа. [6] |
На рис. 6.9 показана кривая спектральной зависимости коэффициента собирания носителей заряда в солнечных элементах с р - i - я-структурой первого типа. Наблюдаемое уменьшение коэффициента собирания в коротковолновой области вызвано главным образом потерями излучения вследствие его поглощения в верхнем легированном слое. Диодный коэффициент освещенных элементов с р - i - / г-структурой равен - 1 1 [39], что свидетельствует о слабой рекомбинации носителей в области перехода. Несмотря на то что световые характеристики элементов на основе a - Si: Н б лизки к идеальным, их темновые вольт-амперные характеристики оказываются плохими. [7]
 |
Энергетическая зонная диаграмма типичного гегероструктурного солнечного элемента AlGaAs - GaAs.| Зависимость тока, наведенного электронным пучком, от расстояния до р - п - перехода. [8] |
Се, установлены более высокие значения Ln и коэффициента собирания фотогенерированных носителей в последнем случае. [9]
Шэй и др. [43] сообщают, что в условиях АМ2 ток короткого замыкания тонкопленочных солнечных элементов лишь на 18 % ниже, чем у монокристаллических элементов, а абсолютные значения коэффициента собирания носителей заряда примерно одинаковы. Авторы приходят к выводу о том, что даже в тонкопленочных элементах рекомбинация носителей на границе раздела не оказывает существенного влияния на эффективность их собирания. Согласно оценкам, диффузионная длина неосновных носителей в слое InP тонкопленочных элементов составляет около 0 6 мкм. Спектральный диапазон чувствительности элементов выходит за границу, определяемую шириной запрещенной зоны массивных кристаллов InP, что свидетельствует о существовании хвостов энергетических зон в области границ зерен. При увеличении глубины проникновения хвостов состояний в запрещенную зону напряжение холостого хода понижается. По мнению авторов, наличие хвостов состояний, связанных с дефектами в области границ зерен, не оказывает отрицательного влияния на фототок, но из-за уменьшения напряжения КПД солнечных элементов снижается примерно в два раза. Полагают, что при повышении качества слоя InP КПД элементов увеличится. [10]
Это снижение эффективности элементов может быть связано с влиянием процессов, происходящих в области пространственного заряда. Напряжение холостого хода элементов данного типа достигает 1 1 В. Возможность улучшения их характеристик ограничена вследствие существования зависимости коэффициента собирания носителей от напряженности электрического поля в области пространственного заряда. [11]
Диодный коэффициент, найденный из вольт-амперных характеристик, оказывается величиной более двух. Значения диффузионного потенциала VD, определяемые по результатам измерений вольт-фарадных характеристик, с достаточной степенью точности совпадают с расчетными значениями VD для модели элемента со структурой металл - диэлектрик - полупроводник. У элементов со слоем Ct O толщиной 161 и 37 мкм коэффициент собирания носителей при длине волны А 0 65 мкм равен 0 25 и 0 65 соответственно. [12]
Согласно результатам измерений вольт-фарадных характеристик, диффузионный потенциал равен 0 75 В. Полагают, что его значение должно увеличиться при повышении уровня легирования. Однако легирование пленок CdSe кадмием приводит к сужению области пространственного заряда и, следовательно, уменьшению коэффициента собирания носителей. При осуществлении диффузии селена для компенсации в поверхностном слое донорных уровней, связанных с присутствием кадмия, напряжение холостого хода повышается до 0 7 В. [13]
Существенное влияние на спектральную характеристику чувствительности элементов оказывает отражение излучения от металлического слоя. При указанной толщине пленки золота минимум коэффициента отражения и максимум на кривой спектральной чувствительности соответствуют длине волны света - 0 5 мкм. При использовании просветляющего покрытия форма кривой значительно изменяется. Коэффициент собирания носителей заряда в коротковолновой части спектра выше, чем в длинноволновой, что свидетельствует о низкой концентрации рекомбинационных центров в области перехода и о малой диффузионной длине носителей внутри пленки CdSe. [14]
Создается изотопный тыльный барьер обычно дополнительной диффузией примеси, обеспечивающей подлегирование тыльной поверхности. Преимущества СЭ с изотипным тыльным барьером проявляются в том случае, когда диффузионная длина неосновных носителей в базовом слое сравнима с толщиной базовой области. Поэтому в таких СЭ в качестве исходного материала необходимо использовать кремний с высокими значениями LD и т неосновных носителей. При этом для повышения коэффициента собирания носителей из базовой области толщину кремниевой пластины уменьшают до 200 - 300 мкм, а для уменьшения оптических потерь и увеличения эффективного коэффициента поглощения излучения осуществляют текстурирование фронтальной поверхности. [15]
Страницы: 1