Коэффициент - лавинное умножение
Cтраница 2
 |
Пробивное напряжение в зависимости от концентрации примесей в исходном германии и радиуса кривизны резкого цилиндрического пли сферического переходов. [16] |
При этом постоянная интегрирования С в ( 8 - 6) находилась из условий обращения в бесконечность коэффициента лавинного умножения. [17]
С явлениями лавинного пробоя по дефектам связано также, по-видимому, то, что экспериментальные данные пробивных напряжений и коэффициентов лавинного умножения получаются с большим разбросом. [18]
 |
Вольт-амперная характеристика тиристора при различных токах управляющего электрода.| Зависимость напряжения переключения ( в относительных единицах от тока управляющего электрода. [19] |
При нулевом токе управляющего электрода переключение этих структур в открытое состояние происходит при напряжениях, превышающих минимальное напряжение пробоя коллекторного перехода, и коэффициент лавинного умножения Мэ-1. Для выполнения условия переключения при этом требуется существенный рост тока / G. [20]
Типичная зависимость QKp от напряжения на тиристоре представлена на рис. 7.29. Резкое увеличение QKp с уменьшением напряжения при значениях, близких к напряжению переключения, связано с уменьшением коэффициента лавинного умножения носителей в коллекторном переходе. Ток / ОДо при этом быстро возрастает, а следовательно, растет и QKp. При напряжениях, меньших напряжения пробоя коллекторного перехода, лавинное умножение носителей практически отсутствует. Относительно медленный рост QKp с уменьшением напряжения связан при этом с уменьшением а и az из-за снижения степени модуляции толщин базовых слоев. Поэтому возрастает и критический заряд включения тиристора. [21]
 |
Выходные ВАХ транзистора в области пробоя ( а, схема транзистора с общим эмиттером ( б и выходные ВАХ при различных условиях на входе ( в. [22] |
В результате примерно равные токи коллектора и базы ( / э близок к нулю, так как эмиттерный переход закрыт) возрастают в М раз, где М - коэффициент лавинного умножения. [23]
Множитель а, учитывающий изменение обратного тока коллектора при изменении тока эмиттера обычно примерно равен единице. Коэффициент лавинного умножения М учитывает влияние этого процесса на общий ток коллектора. [24]
Множитель а, учитывающий изменение обратного тока коллектора при изменении тока эмиттера, обычно примерно равен единице. Коэффициент лавинного умножения М учитывает влияние этого процесса на общий ток коллектора. [25]
С увеличением напряжения рост умножения носителей приводит к развитию лавинного пробоя р - n - перехода. Коэффициент лавинного умножения М определяется средним числом электронно-дырочных пар после лавинного умножения, возбужденных единичной парой, вошедшей в р - n - переход. [26]
Конструкция р-п - р - - структуры с управляющим электродом показана на рйс. При прохождении прямого тока 1У через управляющий р-я-переход ( ПЗ) он инжектирует в р-область электроны, часть которых, равная / г21б2 - / у, доходит до перехода П2 и суммируется с током / Кбо - В точке включения тиристора Ял0, что эквивалентно 1 - Mh2 6 - - MIdh2 6JdI: Q, где М - коэффициент лавинного умножения. [27]
 |
ВАХ тиристора в обратном направлении при различных температурах.| Зависимость обратного напряжения пробоя тиристора от температуры. [28] |
При высоких значениях обратного напряжения, превышающих минимальное напряжение пробоя коллекторного перехода, лавинное умножение носителей в слое объемного заряда этого перехода может быть значительным. Генерационный ток перехода j ( / /, по-прежнему экспоненциально растет с ростом температуры. Однако коэффициент лавинного умножения носителей М уменьшается с ростом температуры из-за уменьшения коэффициентов ударной ионизации электронов и дырок. [29]
Включение в цепь базы конечного сопротивления снизит открывающее напряжение на эмиттере и несколько уменьшит ток в цепи эмиттер-коллектор. При этом пробивное напряжение может возрасти, оставаясь, однако, ниже напряжения пробоя диода коллектор-база. Дело в том, что, как известно, коэффициент усиления транзистора а слагается из трех сомножителей: а уРпМ, где Y - KO-эффициент инжекции; рп - коэффициент - переноса и М - коэффициент лавинного умножения. Для того чтобы а обратилось в единицу, необходимо, чтобы М лишь незначительно превосходило единицу, а при напряжении лавинного пробоя коллекторного диода величина М очень велика. Поэтому в транзисторе в условиях неотключенного ( или незапертого) змиттерного электрода пробивное напряжение, соответствующее моменту, когда у М1, будет всегда ниже, чем напряжение пробоя коллекторного диода. [30]
Страницы: 1 2 3