Cтраница 2
На рис. 5.54, а показано также включение полупроводникового тетрода в схему. При подаче напряжения между выводами базы тетрода запирается большая часть эмиттерного перехода. Кроме того, под действием поля дополнительного вывода базы носители в ней оттесняются к основному выводу. При увеличении тока через область базы эффективная площадь эмиттера, а также путь носителей к выводу базы уменьшаются. Таким образом, подача напряжения на дополнительный вывод базы эквивалентна уменьшению размеров транзистора, причем получается такое уменьшение, которое не может быть достигнуто механическим путем. Емкость коллектора тетрода при этом не изменяется. Этим явлением, которое обычно нежелательно, можно воспользоваться для регулирования коэффициента усиления тетрода. [16]