Коэффициент - температурная чувствительность
Cтраница 2
А - коэффициент, зависящий от удельного сопротивления полупроводника и размеров рабочего тела; В - коэффициент температурной чувствительности, определяемый свойствами полупроводника; Т - температура, К. [16]
Здесь а определяется в соответствии с уравнением (1.61), анализ которого показывает, что беспредельное увеличение коэффициента температурной чувствительности пара приводит к тому, что в этом выражении также начинает доминировать второе слагаемое. [17]
На рис. 9.4 показаны расчетные зависимости коэффициента нелинейности от напряжения и температуры активных областей варисторов из материалов с различной величиной коэффициента температурной чувствительности В. [18]
На рис. 12.2 показаны расчетные зависимости коэффициента нелинейности от напряжения и температуры активных областей вари-сторов из материалов с различной величиной коэффициента температурной чувствительности В поверхностных слоев кристаллов. [19]
На рис. 11.2 показаны расчетные зависимости коэффициента нелинейности от напряжения и температуры активных областей варисторов из материалов с различными значениями коэффициента температурной чувствительности В поверхностных слоев кристаллов. [21]
Я - это коэффициент рассеяния проводящего канала; Т - температура проводящего канала; Raa - - коэффициент, зависящий от площади сечения проводящего канала, от толщины пленки аморфного полупроводника и от его свойств; В - коэффициент температурной чувствительности аморфного полупроводника. [22]
На основании исследования тепловых труб открытого типа сделан вывод о необходимости предварительного выбора системы пар - газ применительно как к открытым, так и к закрытым системам. Коэффициент температурной чувствительности ТТ открытого типа может достигать значений намного больших, чем у закрытых систем. При оценке влияния свободной конвекции необходимо учитывать положение конструкции относительно поля тяжести. При конструировании газорегулируемых ТТ открытого и закрытого типов необходимо стремиться уменьшить диаметр парового массообменного канала. [23]
 |
Расчетная зависимость температуры пара от величины передаваемого теплового потока. / - 4 - / к 1 м. 5 - 5 2. / - mrl г. 2 - 0 3. 3 - 0 13. 4, 8 - 0. 5 - 2. 6 - 0 6. 7 - / гег 0 26. [24] |
В общем случае коэффициент температурной чувствительности представляет собой отношение приращения дестабилизирующего параметра к приращению стабилизируемой величины. [25]
Из-за сильного взаимодействия носителей заряда с ионами подвижность носителей в окисном полупроводнике оказывается довольно низкой и экспоненциально возрастающей с ростом температуры. В результате зависимость сопротивления окисного полупроводника от температуры такая же, как и у ковалентных полупроводников (8.1), но коэффициент температурной чувствительности характеризует в этом случае изменение подвижности носителей заряда, а не изменение их концентрации. [26]
Из-за сильного взаимодействия носителей заряда с ионами подвижность носителей заряда в окисном полупроводнике оказывается малой и экспоненциально возрастающей с ростом температуры. В результате температурная зависимость сопротивления термистора из окисного полупроводника оказывается такой же, как и у термисторов из ковалентных полупроводников ( рис. 11.1), но коэффициент температурной чувствительности характеризует в этом случае изменение подвижности носителей заряда, а не изменение их концентрации. [27]
Основными примесями в техническом карбиде кремния являются азот и алюминий. Энергия ионизации этих примесей в карбиде кремния невелика ( особенно при большой концентрации основных и компенсирующих примесей, что имеет место в техническом карбиде кремния), соответственно мала и величина коэффициента температурной чувствительности В. Поэтому коэффициент нелинейности варисторов не превышает 6, что ограничивает возможные применения варисторов. [29]
 |
Расчетная зависимость коэффициента нелинейности варистора от напряжения при различных температурах ( в 600 К. [30] |
Страницы: 1 2 3