Сравнительно больший коэффициент

Cтраница 2

Предельное распределение примеси по длине слитка после многократной зонной плавки при различных коэффициентах распределения. [16]

Как видно на рисунке, кривые конечного распределения при малых k отличаются большой крутизной. Но даже при сравнительно больших коэффициентах распределения может быть достигнута хорошая очистка. [17]

Механическая прочность спеченного диоксида тория аналогична другим оксидам. Термическая стойкость изделий из ThO2 в связи с малой теплопроводностью, сравнительно большим коэффициентом линейного расширения и малой прочностью на разрыв невысока. [18]

График распределения концентрации доноров при бомбардировке кремния ионами натрия. [19]

Такое распределение концентрации доноров может появиться только в том случае, если поверхностный слой n - типа вследствие радиационных нарушений имеет сравнительно малый коэффициент диффузии и распределение концентрации в области нарушений определяется процессами проникновения ионов в решетку кремния. Более глубокие области, имеющие малый градиент концентрации доноров, должны обладать сравнительно большим коэффициентом диффузии. [20]

Схема СП без использования датчиков скорости в аппаратурном отношении является наиболее простой из рассматриваемых схем и поэтому более надежна в эксплуатации. Это объясняется тем, что в качестве корректирующей обратной связи используется связь со сравнительно большим коэффициентом усиления по моменту, развиваемому ИД, который содержит составляющую, пропорциональную возмущающему моменту. [21]

Распределение температур в сечении корпуса аппарата, находящемся в любой плоскости, перпендикулярной оси аппарата, равномерно. Это означает, что стационарное поле температур в стенке является одномерным. Такое допущение обусловлено сравнительно большим коэффициентом теплопроводности материала стенок при их относительно малой по сравнению с шагом змеевика толщине. [22]

Схемы стабилизирующих устройств. [23]

Сопротивления плеч моста Z2, Z3, Z совместно с сопротивлением Z обмотки управления выбираются таким образом, что мост оказывается уравновешенным при невращающемся двигателе, и обратная связь в системе отсутствует. Если двигатель начинает вращаться, на выходе мостовой схемы появляется напряжение обратной связи, составляющей которого является и напряжение, пропорциональное скорости вращения ротора. Такая схема позволяет исключить из схемы тахогенератор, чем снижается нагрузка на выходной вал асинхронного исполнительного двигателя. Для нормальной работы автоматического прибора очень важно, чтобы тахомет-рический мост был тщательно уравновешен при невращающемся двигателе, в противном случае за счет постоянной обратной связи может измениться коэффициент усиления усилителя, а прибор в целом потерять устойчивость. Кроме того, тахометрические мосты обладают обычно сравнительно большим коэффициентом шума. [24]

Оба вещества вместе с опускающимся сорбентом движутся навстречу потоку газа-носителя. Таким образом, на этом участке колонки создаются условия фронтально-десорбционной хроматографии ( см. разд. Следовательно, образуются три зоны, разделенные двумя фронтами. Выше другого фронта оба компонента находятся в сорб-ционном равновесии с сорбентом. При сравнительно больших коэффициентах распределения и не слишком большой скорости подачи разделяемой смеси мольная доля компонентов так мала, что в этом уравнении величиной 5 можно пренебречь. Если же us больше, чем w2, но меньше, чем Wi, то для зоны 2 результирующая скорость us - w2 относительно колонки направлена вниз, в то время как зона сорбции смеси не может продвигаться в этом направлении. [25]

Схемы кристаллического расщепления мультиплетов F3 и 4 / м, it кристалле LaF3. [26]

При рассмотрении поведения кристаллической решетки в гармоническом приближении изменение энергии уровней примесных ионов возникает вследствие олектрон-фононного взаимодействия. Этот фактор часто является преобладающим [170, 192, 193], и мы на нем подробнее остановимся ниже. Из эффектов, связанных с ангармоничностью кристаллических колебаний, наибольший вклад в смещение уровней может дать тепловое расширение решетки. При этом, вследствие увеличения расстояния до соседних атомов, уменьшается потенциал внутрикристаллического поля на примесном ионе, что в ряде случаев может приводить к заметному уменьшению штарковского расщепления его мультиплетов. В достаточно сложных кристаллических структурах к этому эффекту может примешиваться также и изменение симметрии ближайшего окруженк: я, что, в принципе, приводит не только к количественному, но и к качественному изменению картины штарковского расщепления. Вклад последнего эффекта может быть заметным, например, вблизи точек фазовых переходов. В наибольшей степени влияние расширения решетки на смещение уровней допито бы наблюдаться в мягких кристаллах г, характеризующихся небольшой температурой Дебая и сравнительно большими коэффициентами теплового расширения. [27]

Страницы: 1 2