Cтраница 4
![]() |
Усилительный каскад. [46] |
Сопротивление резистора Ra обычно берут таким, чтобы суммарный ток стабилитрона имел значение, при котором температурный коэффициент напряжения ( ТКН) стабилитрона минимален. [47]
Чтобы иметь высокий kui приходится учитывать изменения напряжения в стабилитроне при колебаниях температуры, так как температурный коэффициент напряжения ( ТКН) равен примерно 0 1 % / Г С, причем в области пробоя он положителен, а при прямом включении отрицателен. Соединяя последовательно со стабилитроном несколько ДИОДОВ в прямом включении, можно снизить ТКН. [48]
![]() |
Статическая характеристика полупроводникового стабилитрона. [49] |
Большой интерес представляет температурная зависимость стабилизированного напряжения в виде температурной чувствительности s dUnpo6 / dT или температурного коэффициента напряжения ТК. [50]
Если подобрать коэффициент п2 In nt таким, что С / опор, 1 205 В, то температурный коэффициент напряжения будет точно равен нулю. [51]
Электрическая работа, совершаемая системой, может быть больше, меньше или равна изменению энтальпии в зависимости от знака температурного коэффициента напряжения. [52]
Изменения относительных параметров 6Т2 и 6Д обусловлены температурными изменениями входной характеристики транзистора и прямой ветви вольт-амперной характеристики диода, определяемыми температурными коэффициентами напряжения ТКНТ и ТКНД соответственно. [53]
Для уменьшения осст иногда применяют комбинацию из последовательно включенных ( двух или более) специально подобранных р-п переходов с противоположными по знаку температурными коэффициентами напряжения. В и а т0, что приводит к уменьшению аст стабилитрона. [54]
Для уменьшения аст иногда применяют комбинацию из последовательно включенных ( двух или более) специально подобранных р-п переходов с противоположными по знаку температурными коэффициентами напряжения. В и а т0, что приводит к уменьшению аст стабилитрона. [55]
U стабилитрона иногда применяют комбинацию из последовательно включенных ( двух или более), специально подобранных p - n - переходов с противоположным по знаку температурным коэффициентом напряжения. [56]
Следует также принять во внимание температурные коэффициенты усиления транзистора по постоянному току, определяемые с учетом изменений / со В усилителе тока эти коэффициенты оказывают большее влияние на общую характеристику, чем обычно учитываемые температурные коэффициенты напряжения база-эмиттер. Сравнительно простая схема при условии тщательного выбора ее элементов позволяет свести к минимуму влияние всех температурных коэффициентов. [57]
![]() |
Зависимость базового и коллекторного токов транзистора от напряжения между базой и эмиттером.| Типичная зависимость коэффициента усиления по току для транзистора ( hln от коллекторного тока. [58] |
Согласно уравнению Эберса-Молла, напряжение между базой и эмиттером управляет коллекторным током, однако это свойство нельзя использовать непосредственно на практике ( создавать смещение в транзисторе с помощью напряжения, подаваемого на базу), так как велик температурный коэффициент напряжения между базой и эмиттером. В дальнейшем вы увидите, как уравнение Эберса-Молла помогает решить эту проблему. [59]
Терморезисторы обладают неодинаковой с транзистором температурной инерционностью. Температурный коэффициент напряжения эмиттер - база транзистора и температурный коэффициент напряжения диода, включенного в прямом направлении, практически одинаковы. Можно также подобрать диод, у которого изменения обратного тока с температурой совпадают с изменениями тока / ко транзистора. [60]